[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

在半导体层的表面形成绝缘膜的工序；

在所述绝缘膜的表面形成具有开口的抗蚀剂的工序；

使与所述抗蚀剂进行交联反应的图案收缩剂附着在所述抗蚀剂、在所述抗蚀剂的内周形成硬化层的工序；

以所述抗蚀剂及所述硬化层作为掩模蚀刻所述绝缘膜的工序；

除去所述硬化层的工序；

在所述半导体层、所述绝缘膜以及所述抗蚀剂的表面形成金属层的工序；以及

通过剥离法除去所述抗蚀剂及所述抗蚀剂的表面的所述金属层的工序。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述抗蚀剂用因感光而向酸变化的材料形成，

在形成所述硬化层的工序之前使所述抗蚀剂感光，

所述交联反应以所述酸为催化剂、通过对所述图案收缩剂进行加热处理而发生，

所述硬化层的除去用强碱药液进行。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述绝缘膜层叠有不同的2种以上的膜。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述绝缘膜层叠有能选择蚀刻的2种以上的膜，

在形成所述金属层的工序之前，具备对所述2种以上的膜之中的至少1个膜以开口宽度比另外的膜宽的方式进行选择蚀刻的工序。