[发明专利]一种用于GIS中局部放电测量和VFTO测量的系统有效
申请号: | 201210042113.9 | 申请日: | 2012-02-22 |
公开(公告)号: | CN102590718A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 李成榕;孙岗;马国明;陈国强;孙泽来;郭攀辉 | 申请(专利权)人: | 华北电力大学;国家电网公司 |
主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12;G01R19/00 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 黄家俊 |
地址: | 102206 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 gis 局部 放电 测量 vfto 系统 | ||
1.一种用于GIS中局部放电测量和VFTO测量的系统,其特征是该系统包括探头、通路选择器、局部放电检测放大单元、VFTO二次分压单元、信号采集处理单元和示波器;
所述探头与通路选择器连接;通路选择器分别与局部放电检测放大单元和VFTO二次分压单元连接;局部放电检测放大单元与信号采集处理单元连接;VFTO二次分压单元与示波器连接。
2.根据权利要求1所述的一种用于GIS中局部放电测量和VFTO测量的系统,其特征是所述探头由伸入GIS腔体内的金属电极、介电材料和外壳组成;
所述介电材料为有机材料,用于提高局部放电测量灵敏度;外壳与GIS拔口通过螺栓连接,外壳是探头的接地极;探头的金属电极的前端用于使UHF频域信号在探头上产生谐振,金属电极的前端的斜面与平面之间的角度为5°到15°,用于减小拔口腔体壁对探头的屏蔽效用;金属电极位于GIS内部,用于消除外界干扰对测量的影响。
3.根据权利要求2所述的一种用于GIS中局部放电测量和VFTO测量的系统,其特征是所述金属电极前部的波阻抗值与金属电极的其余部分的波阻抗值、局部放电检测放大单元的入口波阻抗值和VFTO二次分压单元的入口波阻抗值相同。
4.根据权利要求1所述的一种用于GIS中局部放电测量和VFTO测量的系统,其特征是所述通路选择器在进行VFTO测量时,通路选择器将信号传输到VFTO二次分压单元;在不进行VFTO测量时,通路选择器将信号传输到局部放电检测放大单元,通路选择器为无源器件或可通过远程控制的信号分路器。
5.根据权利要求1或4所述的一种用于GIS中局部放电测量和VFTO测量的系统,其特征是所述局部放电检测放大单元内部有用于对局部放电信号放大检波的元件,用于将微小高频局部放电信号放大后转换为检波信号,其局部放电测量灵敏度可达到5皮库仑。
6.根据权利要求5所述的一种用于GIS中局部放电测量和VFTO测量的系统,其特征是所述局部放电检测放大单元前端装有保护设备,用于防止高压信号对局部放电检测放大单元的影响。
7.根据权利要求1或4所述的一种用于GIS中局部放电测量和VFTO测量的系统,其特征是所述VFTO二次分压单元用于VFTO分压,探头与GIS腔体内导杆形成高压臂电容,VFTO二次分压单元内含低压臂电容,高压臂电容和低压臂电容形成电容分压器。
8.根据权利要求7所述的一种用于GIS中局部放电测量和VFTO测量的系统,其特征是所述VFTO二次分压单元内部包含阻抗变换器,使电容分压VFTO测量低频截止频率在0.01Hz以下;VFTO二次分压单元在非测量时输出端口自动对地短路,防止出现端口芯线处于高电位的情况;VFTO二次分压单元内部采用对称电容结构设计,增大引线宽度,减小引线长度,降低总体电感,VFTO测量高频截止频率在100MHz以上。
9.根据权利要求1或4所述的一种用于GIS中局部放电测量和VFTO测量的系统,其特征是所述信号采集处理单元用于对局部放电检测放大单元输出信号进行数据存储以及统计分析;用于对金属颗粒、悬浮电位、内部电晕、固体绝缘内部缺陷或固体绝缘表面脏污产生的局部放电信号进行分类;用于抑制移动通讯和雷达的无线电干扰、变电站高电压环境中存在的浮电位体放电干扰或开关操作产生的短时放电干扰;其输出数据包括形成局部放电的工频周期波形图、二维谱图、三维谱图、缺陷类型识别结果和故障分析报告。
10.根据权利要求1或4所述的一种用于GIS中局部放电测量和VFTO测量的系统,其特征是所述示波器采样频率大于1GHz以上,数据存储深度大于100Mbytes。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华北电力大学;国家电网公司,未经华北电力大学;国家电网公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210042113.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体结构及其制作方法
- 下一篇:一种干式空心电抗器匝间绝缘缺陷的定位方法