[发明专利]复合导电结构及其制造方法与具有其的显示及触控面板无效
申请号: | 201210042339.9 | 申请日: | 2012-02-23 |
公开(公告)号: | CN103295667A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 庄闵超;许育纯;赖思维 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 导电 结构 及其 制造 方法 具有 显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及一种复合导电结构、制造此种复合导电结构的方法,及具有此复合导电结构的触控面板及显示面板,且特别是有关于一种具有结晶态导电膜及非结晶态导电膜的复合导电结构及具有此种复合导电结构的触控面板及显示面板。
背景技术
随着科技的进步,生活中已经充斥着各式各样的显示器。显示器的应用日益普遍,使显示器中的各个元件的开发成为厂商研究的目标。其中,应用于显示器的软性元件随着软性显示器的开发而成为热门的研发主体。软性显示面板或需耐冲击的显示面板通常会使用软性基材作为基板,并使用可挠性材料作为内部元件。举例来说,软性显示器中用以施加电压的电极结构,需要使用具可挠性的导电材料制作成软性电极。
在显示器与触控面板朝向大面积及可挠性的趋势发展之下,为了制作大面积的显示荧幕,显示器及触控面板中的透明电极也必须大面积的设置。因此,大面积的透明电极必须兼具低阻值及可挠性的特点。以铟锡氧化物(IndiumTin Oxide,ITO)所制成的透明软性电极来说,为达到低阻值的特性,必须制备出膜厚较厚且高度结晶性的ITO膜。然而,膜厚较厚且高度结晶性的ITO膜在反复的弯折挠曲后,容易有碎裂(crack)的状况发生,亦容易导致线路断路或驱动电阻变大,进一步影响产品的耐用性及灵敏度。
发明内容
本发明是有关于一种导电层及具有其的显示装置,此种导电层同时具备低阻值与良好的可挠性,可以有效地增加导电层及具有其的显示装置的耐用性。
根据本发明的第一方面,提出一种复合导电结构,包括一第一基板及一第一导电层。第一导电层设置于第一基板上,第一导电层包括一结晶态导电膜和一非结晶态导电膜。
根据本发明的第二方面,提出一种触控面板,包括如前述的复合导电结构。
根据本发明的第三方面,提出一种显示面板,包括前述的复合导电结构、一第三基板以及一显示介质层。显示介质层设置于复合导电结构和第三基板之间,第一导电层作为一显示电极。
根据本发明的第四方面,提出一种复合导电结构的制造方法。方法包括以下步骤。形成一第一基板。形成一非结晶态的初始导电膜在第一基板上。使得初始导电膜上表面进行结晶化,而形成一结晶态导电膜和一非结晶态导电膜。
根据本发明的第五方面,提出一种复合导电结构的制造方法。方法包括以下步骤。形成一第一基板。形成一非结晶态的初始导电膜在第一基板上。使初始导电膜进行结晶化,而形成一结晶态导电膜。形成一非结晶态导电膜在结晶态导电膜上。
本发明通过结晶态的结晶态导电膜及非结晶态导电膜构成复合导电结构,复合导电结构的阻值相较于单层结构的结晶态导电层低或相等,且复合导电结构在挠曲后的阻值除以挠曲前的阻值(阻值变化率)较单层结构的结晶态导电层的阻值变化率更低。因此,本发明上述实施例的复合导电结构及其制作方法,可以改善导电层挠曲后易导致断路的问题。并且,应用本发明上述实施例的导电层所制成的显示装置可以避免挠曲后线路断路或驱动电阻变大的问题,使得显示装置的耐用性及灵敏度均可望提升。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本发明的限定。在附图中:
图1A~图1D绘示依照本发明一实施例的导电层的制造流程示意图。
图2A~图2C绘示依照本发明另一实施例的导电层的制造流程示意图。
图3绘示依照本发明一实施例所制成的导电层应用在显示面板中的示意图。
图4~图8绘示依照本发明一实施例所制成的导电层应用在不同态样的触控面板中的示意图。
附图标号:
3:显示面板
4~8:触控面板
10、20、30、32、40、42、50、52、60、62、70、80、82:复合导电结构
100、200、300、320、400、420、500、520、600、620、700、800、820:基板
120、220:阻挡层
140、240:导电材料层
140’、241:结晶态导电膜
160、242:非结晶态导电膜
310:显示介质层
410、510、610:粘着层
810:间隙控制单元层
M1、M2、M30、M32、M40、M42、M50、M52、M60、M62、M70、M72、M80、M82:导电层
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司,未经群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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