[发明专利]一种异质结晶硅太阳电池钝化层的热处理方法有效
| 申请号： | 201210042844.3 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102544234A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 黄海宾;王巍;李媛媛;周浪;魏秀琴;周潘兵 | 申请（专利权）人： | 上海中智光纤通讯有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201108 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结晶 太阳电池 钝化 热处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种异质结晶硅太阳电池钝化层的热处理方法，包括：
采用PECVD法或热丝CVD法制备异质结晶硅太阳电池钝化层薄膜，以PECVD法中产生的含氢等离子体的氢气气氛，对钝化层的硅片于200～300℃处理1min～60min；或者是以热丝CVD法产生的含氢原子的氢气气氛，对钝化层的硅片于200～300℃处理1min～60min。
2.根据权利要求1所述的一种异质结晶硅太阳电池钝化层的热处理方法，其特征在于：所述钝化层薄膜厚于晶硅异质结太阳电池器件结构所需厚度。
3.根据权利要求1所述的一种异质结晶硅太阳电池钝化层的热处理方法，其特征在于：所述以PECVD法中产生的含氢等离子体的氢气气氛对钝化层的硅片处理的工艺参数为：极板上所加射频功率密度为0.01～1.2W/cm2，气压为5～100Pa。
4.根据权利要求1所述的一种异质结晶硅太阳电池钝化层的热处理方法，其特征在于：所述以热丝CVD法产生的含氢原子的氢气气氛对钝化层的硅片处理的工艺参数为：热丝的温度为1500～2200℃，气压为0.1～50Pa。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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