[发明专利]在基底表面上沉积纳米点阵的方法

权利要求书

1.一种利用溅射仪在基底表面上沉积纳米点阵的方法，其特征在于包括以下工艺步骤：

(1)基片的清洗

按甲苯、丙酮、酒精、去离子水的顺序，分别将基片超声振荡清洗干净，再将清洗干净的基片放入溅射仪中；

(2)安装溅射靶材

将需要溅射的靶材安装于溅射仪中，安装好后开始抽真空，当真空度达到2～10^-5Pa时，通入气氛；

(3)调节好溅射参数，沉积纳米点阵；

采用溅射仪，将溅射气压调节为0.1～6Pa，溅射功率调节为10-20W，溅射电流调节为3～6mA；将溅射时间控制在2-5秒；然后进行溅射，实现在基片表面上沉积纳米颗粒，即纳米点阵。

2.根据权利要求1所述的沉积纳米点阵的方法，其特征在于所述的基片是导电的材料、或是绝缘的材料。

3.根据权利要求1所述的沉积纳米点阵的方法，其特征在于所述的溅射靶材是金属，或者是金属氧化物。

4.根据权利要求1或3所述的沉积纳米点阵的方法，其特征在于所述溅射靶材是金属时，选自金属中的Au、或Ag、或Cu、或Al其中之一。

5.根据权利要求1或3所述的沉积纳米点阵的方法，其特征在于所述溅射靶材是金属氧化物时，选自金属氧化物中的Al₂O₃、或ZnO、或TiO₂、或CuO其中之一。

6.根据权利要求1所述的沉积纳米点阵的方法，其特征在于所述溅射仪采用直流溅射仪、或射频溅射仪、或磁控溅射仪、或离子束溅射仪进行溅射，以实现纳米点阵的沉积。

7.根据权利要求1所述的沉积纳米点阵的方法，其特征在于所述通入气氛为氩气。