[发明专利]固态成像器件有效
申请号: | 201210043348.X | 申请日: | 2012-02-23 |
公开(公告)号: | CN102655158A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 野本和生;竹下光明;大理洋征龙 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 曲莹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 | ||
1.一种固态成像器件,包括:
基板;
光电转换部,构造成将入射光转换成信号电荷,设置在所述基板上,并且包括具有第一导电型的载流子极性的杂质区域;
第一杂质层,设置在所述基板上,具有与所述第一导电型相反的第二导电型的载流子极性,并且具有第一杂质浓度;
电荷电压转换部,构造成将所述光电转换部转换的信号电荷转换成电压,设置在所述第一杂质层上,并且包括具有第一导电型的载流子极性的杂质区域;
放大部,构造成放大由所述电荷电压转换部转换的电压,设置在所述第一杂质层上,并且包括具有第一导电型的载流子极性的源/漏区域;和
第二杂质层,设置在所述光电转换部与所述放大部之间的区域中,具有第二导电型的载流子极性,并且具有高于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度。
2.如权利要求1所述的固态成像器件,还包括:
传送部,构造成从所述光电转换部向所述电荷电压转换部传送信号电荷,并且设置在所述光电转换部与所述电荷电压转换部之间的区域中;和
第三杂质层,设置在所述传送部的位于基板侧的区域中,具有第二导电型的载流子极性,并且具有高于所述第一杂质浓度但等于或小于所述第二杂质浓度的第三杂质浓度。
3.如权利要求2所述的固态成像器件,其中,所述第三杂质层的位于基板侧的表面与所述基板之间在所述基板的厚度方向上的距离等于或者大于所述第一杂质层的位于基板侧的表面与所述基板之间在所述基板的厚度方向上的距离。
4.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,所述第二杂质层的位于基板侧的表面与所述基板之间在所述基板的厚度方向上的距离等于或者大于所述第一杂质层的位于基板侧的表面与所述基板之间在所述基板的厚度方向上的距离。
5.如权利要求1所述的固态成像器件,还包括在所述光电转换部与所述放大部之间通过硅局部氧化和浅沟槽隔离之一的技术形成的元件隔离层。
6.如权利要求1所述的固态成像器件,还包括:
沿预定方向配置的多个所述光电转换部;和
在沿所述预定方向彼此相邻的光电转换部之间的区域中通过扩散隔离的技术形成的扩散隔离层。
7.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,所述第二杂质层设置在所述第一杂质层内。
8.如权利要求1所述的固态成像器件,其中,所述第一导电型为N型,而所述第二导电型为P型。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的