[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

(a)半导体衬底，其具有第一主表面和第二主表面；

(b)第一导电类型的漂移区，其设置在所述半导体衬底中；

(c)有源区，其设置在所述第一主表面上；以及

(d)多个单位单元区域，在平面地观看时其设置在所述有源区中，

所述单位单元区域每一个都从所述第一主表面的上部穿过所述漂移区，并且包括：

(d1)体区，其设置在所述漂移区中的在第一主表面一侧上的半导体衬底中，并且具有第二导电类型，所述第二导电类型是与所述第一导电类型相反的导电类型；

(d2)沟槽，其设置在所述半导体衬底的第一主表面中，并且穿过所述体区到达所述漂移区；

(d3)栅电极，其隔着栅极绝缘膜设置在所述沟槽中；

(d4)层间绝缘膜，其设置在所述栅电极上；

(d5)第一导电类型的衬底中源区，其设置在第一主表面一侧上但是在所述沟槽外部的半导体衬底的表面中，以便与所述栅极绝缘膜接触；

(d6)多晶Si源区，其设置在所述层间绝缘膜的两侧上以便与所述衬底中源区的上部接触；以及

(d7)金属源电极，其设置在所述半导体衬底的第一主表面上以便覆盖所述层间绝缘膜和所述多晶Si源区，

其中所述层间绝缘膜的宽度和所述沟槽的宽度基本上相等。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅电极是多晶硅电极。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述多晶Si源区是所述层间绝缘膜的侧壁。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中已经在所述多晶Si源区中掺杂了具有与所述衬底中源区的导电类型相同的导电类型的杂质。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述漂移区是N型外延区。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中在所述半导体衬底的第二主表面一侧上设置N型漏区。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述栅极绝缘膜在所述沟槽的下端处的厚度大于所述栅极绝缘膜邻接所述体区的部分的厚度。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中伪栅电极设置在所述栅电极下方并且隔着所述栅极绝缘膜在所述沟槽的下端部分处。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述伪栅电极是多晶硅伪栅电极。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述伪栅电极被调节为具有基本上与所述金属源电极的电位相等的电位。

11.一种半导体器件，包括：

(a)半导体衬底，其具有第一主表面和第二主表面；

(b)第一导电类型的漂移区，其设置在所述半导体衬底中；

(c)有源区，其设置在所述第一主表面上；以及

(d)多个单位单元区域，在平面地观看时其设置在所述有源区中，

所述单位单元区域每一个都从所述第一主表面的上部穿过所述漂移区，并且包括：

(d1)体区，其设置在所述漂移区中的在第一主表面一侧上的半导体衬底中，并且具有第二导电类型，所述第二导电类型是与所述第一导电类型相反的导电类型；

(d2)沟槽，其设置在所述半导体衬底的第一主表面中，并且穿过所述体区到达所述漂移区；

(d3)栅电极，其隔着栅极绝缘膜设置在所述沟槽中；

(d4)层间绝缘膜，其设置在所述栅电极上；

(d5)第一导电类型的衬底中源区，其设置在第一主表面一侧上但是在所述沟槽外部的半导体衬底的表面中，以便与所述栅极绝缘膜接触；

(d6)多晶Si源区，其设置在所述层间绝缘膜的两侧上以便与所述衬底中源区的上部接触；以及

(d7)金属源电极，其设置在所述半导体衬底的第一主表面上以便覆盖所述层间绝缘膜和所述多晶Si源区，

其中所述衬底中源区和所述多晶Si源区沿所述沟槽的基本上平的侧壁设置。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，

其中所述栅电极是多晶硅电极。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，

其中所述多晶Si源区是所述层间绝缘膜的侧壁。