[发明专利]一种应用于光伏透明导电玻璃的电磁磁控溅射法无效
申请号: | 201210043957.5 | 申请日: | 2012-02-26 |
公开(公告)号: | CN103290375A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 周文彬;刘幼海;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201707 上海市青*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 透明 导电 玻璃 电磁 磁控溅射 | ||
所属技术领域
本发明关于属于光伏玻璃薄膜沉积领域,具体涉及一种应用于光伏透明导电玻璃的电磁磁控溅射法。
背景技术
本发明系为一种应用于太阳能透明导电玻璃基板的电磁磁控溅射法,尤指可降低玻璃基板薄膜之结晶温度,同时可增加玻璃基板成膜速度之一种应用于太阳能透明导电玻璃基板的电磁磁控溅射法。一般应用于光伏透明导电玻璃基板之磁控镀射法,请参阅图1所示,其主要先将该玻璃基板11加高温后,将玻璃基板至于磁控靶源下方,该靶源13产生等离子体14,此称之为等离子体,该等离子体14撞击导靶材15,使玻璃基板11表面披覆一层导电氧化物层12,因该玻璃基板11已加高温,又可使导电氧化物层12再结晶形成透明导电氧化物膜层;该上述之技术,其虽可使氧化物形成结晶,却因等离子体放电作用距离较短,固玻璃基板需尽量贴近靶源,又因其玻璃基板需加温高温,当加温至250~300℃之高温时,则又易使该玻璃基板变得脆弱而易碎;因此,本案发明人鉴于上述高温易使玻璃基板脆弱易碎之缺失以及低温之费时相关制程方法,研发出一种可降低玻璃基板薄膜沈积温度,同时可增加成膜速度之一种应用于光伏透明导电玻璃的电磁磁控溅射法。
发明内容
本发明主要目的系提供一种应用于太阳能透明导电玻璃的电磁磁控溅射法,其系将该玻璃基板放入真空环境并加热,而该镀源外围设有4组环绕的高电流电磁场,将靶源的平衡磁场向外拉伸,而形成电磁磁场,致使等离子体放电区域得以扩张,因等离子体放电区域扩张,使带电粒子轰击靶材后的粒子可以得到较大的动能而产生排列组合整齐之结晶,该氧化物可为氧化铝锌、氧化铟锡等透明导电氧化材料;俾藉由玻璃基板浸润在等离子体放电区中,而使氧化物粒子在玻璃基板形成再结晶,俾使其电阻抗降低、穿透率提高,且藉由该电磁磁场,其带电粒子具有比一般磁场更高动能,进而可达增加玻璃基板成膜速度及易于形成排列组合整齐之微结晶结构。
附图说明
图1系为一般磁控溅射之示意图。
图2系为本发明之实施示意图。
图3系为本发明之步骤流程示意图。
主要组件符号说明
11...玻璃基板
12...导电氧化物层
13...靶源
14...等离子体
15...靶材
21...靶源
22...4组高电流电磁场
23...溅射靶材
24...导电氧化物层
25...电磁磁场
26...玻璃基板
具体实施方式
为使方便简捷了解本发明之其他特征内容与优点及其所达成之功效能够更为显现,兹将本发明配合附图,详细说明如下:请参阅图2、图3所示,本发明之主要目的系提供一种应用于太阳能透明导电玻璃的电磁磁控溅射法,其系将该玻璃基板26放入真空环境并加热,该加热温度为100℃~150℃,而该靶源21外围设有环绕的4组高电流电磁场22,该4组高电流电磁场22迭设于溅射靶材23上,而形成电磁磁场25并产生等离子体放电区,产生具高动能氧化物24粒子,又该氧化物24粒子沉积披覆于玻璃基板26上,该电磁磁场25在玻璃基板26表面附近产生大量具高温之带电粒子,该带电粒子直接浸润该披覆有氧化物24粒子之玻璃基板26,而产生排列组合整齐之结晶,该氧化物34可为氧化铝锌、氧化铟锡等透明导电氧化材料;藉由具高温度之带电粒子直接浸润该披覆有氧化物24之玻璃基板26,可使氧化物产生排列组合整齐之结晶,且藉由该电磁磁场25,其带电粒子具高动能,而可达到增加玻璃基板26成膜速度及可防止玻璃基板易脆易碎之缺失,进而可使其电阻抗降低、穿透率提高的一种应用于光伏透明导电玻璃的电磁磁控溅射法。为使本发明更加显现出其进步性与实用性,兹与一般磁控溅射法作一比较分析如下:
一般磁控溅射法
1、温度高,玻璃基板易有损伤
2、需经过退火程序,且耗时
3、辉光放电范围较短,其玻璃基板需贴近镀源
一种应用于光伏导电玻璃的电磁磁控溅射法
1、藉由电磁磁场产生的高动能粒子,溅射镀膜沉积在玻璃基板上时,较容易使透明导电氧化物成核结晶
2、其玻璃基板加温之温度为100℃~150℃
3、无需经过长时间的退火程序
综上所述,本发明在突破先前之技术结构下,确实已达到所欲增进之功效,且也非熟悉该
项技艺者所易于思及,其所具之进步性、实用性,显已符合发明专利之申请要件,惟上列详细说明系针对本发明之一可行实施例之具体说明,该实施例并非用以限制本发明之专利范围,而凡未脱离本发明技艺精神所为之等效实施或变更,均应包含于本案之专利范围中。
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