[发明专利]一种评估功率VMOS管寿命以及可靠性的分析方法

权利要求书

1.一种评估功率VMOS管寿命以及可靠性的分析方法，其特征在于：该方法具体步骤如下：

步骤一、将功率VMOS管建模并且建立H桥仿真电路；具体实现过程是：步骤一.1：选取某一种型号的功率VMOS管并根据其数据手册datasheet中各项参数建模；步骤一.2：建立H桥仿真电路核心部分H桥；步骤一.3：添加外围器件得到具有使能控制和方向逻辑的H桥电路；

步骤二、H桥电路的无故障仿真；具体实现过程是：步骤二.1：搭建三角波发生电路；步骤二.2：用三角波比较法产生PWM波形，调制的波形进行电平移位；步骤二.3：经过电平移位的PWM波接往高速光耦HCPL2601，实现隔离放大，再通过MOSFET驱动器mic4420对电平再进行放大，得到输出低电平为0，高电平为+12V的PWM波形，作为控制功率VMOS管的信号输入；步骤二.4：功率VMOS管组成半桥变换器，其后接负载；

步骤三、H桥电路阈值电压退化仿真；具体实现过程是：步骤三.1：分析失效功率VMOS管的失效原因：栅极阈值电压漂移使得电流和功率存在不规则峰值，产生两桥臂VMOS管瞬态共同导通；步骤三.2：对H桥电路的瞬态共同导通故障进行仿真和分析，监测栅源电压，分析计算功率VMOS管参数的退化和可靠性寿命；

步骤四、综合分析得出实际应用中的结论。

2.根据权利要求1所述的一种评估功率VMOS管寿命以及可靠性的分析方法，其特征在于：步骤一.1所述的“选取某一种型号的功率VMOS管并根据其数据手册datasheet中各项参数建模”的具体实现过程是：获取功率VMOS管数据手册datasheet中的参数信息，并将参数信息按照电路仿真工具的要求输入到仿真工具模型参数栏中，建立对应的VMOS管模型。

3.根据权利要求1所述的一种评估功率VMOS管寿命以及可靠性的分析方法，其特征在于：步骤一.2所述的“建立H桥仿真电路核心部分H桥”，其具体实现过程是：H桥仿真电路是由输入部分、H桥上下桥臂、负载部分组成的，该输入部分是经过三角波发生电路，与正弦波进行比较产生PWM波形，再接电平移位电路以及光耦HCPL2601和驱动器mic4420进行隔离放大，得到满足要求0-12V波形作为控制功率VMOS管的输入信号；该H桥上下桥臂分别由4支并联的VMOS管组成；该负载部分由假负载——电阻表示。

4.根据权利要求1所述的一种评估功率VMOS管寿命以及可靠性的分析方法，其特征在于：步骤二.1所述的“搭建三角波发生电路”，其具体实现过程是：它是由一个滞回比较器和一个积分电路组成，滞回比较器的输出加在积分电路的反向输入端进行积分，而积分电路的输出又接回到滞回比较器的同相输入端，控制滞回比较器输出端的状态发生跳变；滞回比较器的输出电压成为周而复始的矩形波，而积分电路输出电压成为周期性的三角波。