[发明专利]具有无方向的去耦合电容器的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

电压源线；

电压回路线；

至少一个集成电路；以及

至少一个去耦电容器，连接在所述电压源线和所述电压回路线之间，其中，所述至少一个去耦电容器定向的方向与所述至少一个集成电路定向的方向不同。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个集成电路被定向为第一方向，其中，所述至少一个去耦电容器被定向为第二方向，所述第二方向与所述第一方向不同，其中，所述第一方向包括约0度，并且其中，所述第二方向包括约90度和约270度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个集成电路被定向为第一方向，其中，所述至少一个去耦电容器被定向为第二方向，所述第二方向与所述第一方向不同，其中，所述第一方向包括约0度，并且其中，所述第二方向包括约45度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个集成电路被定向为第一方向，该第一定向的方向与晶体管的栅极长度的方向垂直，所述晶体管形成所述至少一个集成电路。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个去耦电容器包括：串联连接在所述电源线和所述电压回路线之间的两个去耦电容器。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个集成电路包括：微处理器、逻辑电路、存储电路、和/或晶体管。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个去耦电容器包括：并联连接的多个去耦电容器。

8.一种半导体器件，包括：

电压源线；

电压回路线；

工件；

多个集成电路，被设置在所述工件上方，所述多个集成电路被定向为第一方向；

多个金属化层，被设置在所述多个集成电路上方；以及

多个去耦电容器，连接在所述电压源线和所述电压回路线之间，并且被设置在所述多个金属化层内，所述多个去耦电容器被定向为至少一个第二方向，其中，所述至少一个第二方向与所述第一方向不同。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述多个去耦电容器包括：第一组去耦金属-绝缘体-金属MIM电容器和第二组去耦MIM电容器，所述第一组去耦MIM电容器被定向的方向与所述第二组去耦MIM电容器的方向不同。

10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供工件；

在所述工件上方形成至少一个集成电路；以及

在所述工件上方形成至少一个去耦电容器，其中，所述至少一个去耦电容器定向的方向与所述至少一个集成电路定向的方向不同。