[发明专利]提高晶圆清洁度的清洗方法及清洗甩干设备

权利要求书

1.一种能够提高晶圆清洁度的清洗甩干方法，包括：

提供一清洗台，将晶圆水平放置于所述清洗台上；

将清洗喷头设置于所述晶圆的圆心上方，所述清洗喷头的出液方向倾斜于所述晶圆的垂线方向；

晶圆启动水平自转，所述清洗喷头启动水平移动；

开始清洗过程，所述清洗喷头喷出清洗液至晶圆表面，所述清洗喷头水平移动至偏离所述晶圆圆心的位置停止；

结束清洗，所述清洗喷头停止供应清洗液，所述晶圆继续水平自转，以甩干所述晶圆。

2.如权利要求1所述的能够提高晶圆清洁度的清洗甩干方法，其特征在于，所述清洗喷头自位于晶圆圆心上方即开始喷出清洗液。

3.如权利要求1所述的能够提高晶圆清洁度的清洗甩干方法，其特征在于，所述清洗喷头移动至偏离所述晶圆圆心后开始喷出清洗液。

4.如权利要求3所述的能够提高晶圆清洁度的清洗甩干方法，其特征在于，所述清洗喷头移动至偏离所述晶圆圆心3～5mm后开始喷出清洗液。

5.如权利要求1所述的能够提高晶圆清洁度的清洗甩干方法，其特征在于，所述清洗喷头的出液方向与所述晶圆的垂线方向的夹角为3～10°。

6.如权利要求1所述的能够提高晶圆清洁度的清洗甩干方法，其特征在于，在清洗过程中，所述清洗喷头水平移动至偏离所述晶圆圆心的5～25mm的位置停止。

7.如权利要求6所述的能够提高晶圆清洁度的清洗甩干方法，其特征在于，所述清洗喷头匀速移动，移动速度为5～25mm/min。

8.如权利要求1至7中任意一项所述的能够提高晶圆清洁度的清洗甩干方法，其特征在于，所述晶圆的转速为1000～2000转/分钟。

9.如权利要求1至7中任意一项所述的能够提高晶圆清洁度的清洗甩干方法，其特征在于，所述清洗液为去离子水或化学清洗液。

10.一种能够提高晶圆清洁度的清洗甩干设备，包括：

清洗台，晶圆水平放置于所述清洗台上；

清洗喷头，所述清洗喷头位于所述晶圆上方并能够水平移动，所述清洗喷头的出液方向倾斜于所述晶圆的垂线方向。

11.如权利要求10所述的能够提高晶圆清洁度的清洗甩干设备，其特征在于，所述清洗喷头的出液方向与所述晶圆的垂线方向的夹角为3～10°。

12.如权利要求10所述的能够提高晶圆清洁度的清洗甩干设备，其特征在于，所述清洗喷头能够从所述晶圆圆心上方水平移动至偏离所述晶圆圆心的5～25mm的位置。

13.如权利要求10所述的能够提高晶圆清洁度的清洗甩干设备，其特征在于，所述清洗甩干设备还包括供液管路，所述供液管路的一端与外部供液装置相连，另一端与所述清洗喷头相连。

14.如权利要求13所述的能够提高晶圆清洁度的清洗甩干设备，其特征在于，所述清洗喷头与所述供液管路固定连接，所述清洗喷头的出液方向通过调节供液管路控制。

15.如权利要求13所述的能够提高晶圆清洁度的清洗甩干设备，其特征在于，所述清洗喷头与所述供液管路活动连接，所述清洗喷头的出液方向通过调节清洗喷头来控制。

16.如权利要求10至15中任意一项所述的能够提高晶圆清洁度的清洗甩干设备，其特征在于，所述清洗液为去离子水或化学清洗液。