[发明专利]一种硅基焦平面器件的读出电路无效
申请号: | 201210045862.7 | 申请日: | 2012-02-28 |
公开(公告)号: | CN102589719A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 张康 | 申请(专利权)人: | 张康 |
主分类号: | G01J5/24 | 分类号: | G01J5/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 322008 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅基焦 平面 器件 读出 电路 | ||
1.一种硅基焦平面器件的读出电路,其特征在于,包括:
1)焦平面阵列电路:完成光电信号的转换;
2)垂直移位寄存器:产生行选信号,在行选信号的控制下,选通一行的像素单元;
3)组选移位寄存器:产生列选信号,通过选通几列的行选后的信号到多路选择开关中;
4)多路选择开关:把选通的像素单元按照一定的规律输出;
其中,所述电路的工作时序如下:电路以一个帧时作为重复的工作周期,一个帧时是指焦平面阵列中所有的像素单元都要进行一次选通;电路首先进行行选从第一行到最后一行依次进行选通;在每一行的行选信号有效期间,阵列按照一定的规律把这一行的像素分为几组,然后进行依次的选通读出;
所述的控制信号模块垂直移位寄存器、组选移位寄存器和多路选择开关采用了D触发器来实现,每个D触发器的输入是上一级D触发器的输出,D触发器的输出同时用于控制对应的行的MOS管的栅极,每个模块的D触发器使用同步时钟;开始输入一个脉冲信号作为第一个D触发器的初始输入,并且以此来控制选通第一行或第一列;
以及,在焦平面阵列中还采用了桥式电路结构,其中R1、R2是热沉测辐射热计电阻,它们不随着温度的变化而发生变化,R3是光学屏蔽参考测辐射热计电阻,不受所加的红外辐射的影响,它与探测器电阻的温度系数是一致的,R4是探测器测辐射热计电阻,由于探测器测辐射热计电阻受红外辐射的影响,其温度发生变化而产生电阻的变化。
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