[发明专利]一种多层纳米线结构的制造方法有效
| 申请号： | 201210046312.7 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103295878A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 王文博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多层 纳米 结构 制造 方法 | ||
1.一种多层纳米线结构的制造方法，包括：
a)提供第一硅基体，在所述第一硅基体上形成第一氧化物层；
b)提供第二硅基体，对所述第二硅基体实施氢离子注入，以在所述第二硅基体中形成一定位标记；
c)实施一智能切割工艺，以在所述第一硅基体上形成一绝缘体上硅结构；
d)在所述绝缘体上硅结构上形成第二氧化物层；
e)重复步骤b)-步骤d)，以在所述第一硅基体上形成多层绝缘体上硅结构；
f)定义所述纳米线结构的图形；
g)蚀刻所述多层绝缘体上硅结构，以在所述第一硅基体上形成所述多层纳米线结构；
h)去除所述多层纳米线结构中的每条纳米线下方的所述第二氧化物层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二硅基体的晶向和所述第一硅基体的晶向相同。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二硅基体的晶向和所述第一硅基体的晶向不同。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺或者热氧化工艺形成所述第一氧化物层和第二氧化物层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二氧化物层的厚度小于所述第一氧化物层的厚度。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二氧化物层的厚度为0.02-0.5微米。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多层绝缘体上硅结构的层数大于或等于2。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多层绝缘体上硅结构中的每个硅层是所述第一硅基体或者所述第二硅基体。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述每个硅层的晶向可以相同，也可以不同。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述每个硅层的厚度为0.02-0.5微米。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多层绝缘体上硅结构中的每个绝缘体层是所述第二氧化物层。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用离子注入工艺实施所述氢离子注入。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法蚀刻工艺蚀刻所述多层绝缘体上硅结构，所述蚀刻过程直到露出所述第一氧化物层时终止。
14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法蚀刻工艺去除所述多层纳米线结构中的每条纳米线下方的所述第二氧化物层。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述湿法蚀刻工艺采用的腐蚀液为稀释的氢氟酸。
16.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具有采用权利要求1-15中的任一方法形成的多层纳米线结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
