[发明专利]半导体装置以及用于制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于包括：

衬底；

半导体层，所述半导体层形成在所述衬底上方并且包含氮化物半导体；

电极，所述电极形成在所述半导体层上方并且包含金；

阻挡膜，所述阻挡膜形成在所述电极上方；和

保护膜，所述保护膜形成在所述半导体层上方并且包含氧化硅膜、氮化硅膜和氮氧化硅膜中的一种；

其中所述保护膜形成在所述阻挡膜上；

其中所述阻挡膜包含金属氧化物材料、金属氮化物膜或金属氧氮化物膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于所述阻挡膜形成在所述电极的顶表面和侧表面上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中包含在所述阻挡膜中的所述金属氧化物材料、所述金属氮化物膜或所述金属氧氮化物膜包括选自Al、Ti、Ta、W、Mo、Hf、Ni、Zr中的一种或更多种元素的氧化物、氮化物或氧氮化物。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于在所述阻挡膜与所述电极之间插入包含在所述阻挡膜中包含的所述金属氧化物材料、所述金属氮化物膜或所述金属氧氮化物膜的金属膜。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于所述保护膜还包含氮化硅。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括：

场效应晶体管，所述场效应晶体管包括源电极和漏电极；

其中所述电极包括栅电极，

其中所述半导体层具有包括第一半导体层和形成在所述第一半导体层上方的第二半导体层的半导体层结构，

其中所述源电极和所述漏电极接触所述第一半导体层或所述第二半导体层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于还包括：

绝缘膜，所述绝缘膜形成在所述第二半导体层上方；

其中所述栅电极形成在所述绝缘膜上方。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括：

场效应晶体管，所述场效应晶体管包括源电极和漏电极；和

绝缘膜，所述绝缘膜形成在所述半导体层上方；

其中所述电极包括栅电极，

其中所述半导体层具有包括第一半导体层和形成在所述第一半导体层上方的第二半导体层的半导体层结构，

其中所述源电极和所述漏电极接触所述第一半导体层或所述第二半导体层，

其中所述第二半导体层包括具有内表面的凹部，

其中所述绝缘膜形成在所述凹部的所述内表面上，

其中所述栅电极经由所述绝缘膜形成在与所述凹部对应的区域中。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于所述第一半导体层包含GaN，并且所述第二半导体层包含AlGaN。

10.一种电源装置，其特征在于包括：

根据权利要求1所述的半导体装置。

11.一种放大器，其特征在于包括：

根据权利要求1所述的半导体装置。

12.一种用于制造半导体装置的方法，其特征在于包括：

在衬底上方形成包含氮化物半导体的半导体层；

形成包含金的电极；

在所述电极上方形成阻挡膜；以及

在所述半导体层上方和在所述阻挡膜上形成保护膜，所述保护膜包含氧化硅膜、氮化硅膜和氮氧化硅膜中的一种；

其中所述阻挡膜包含金属氧化物材料、金属氮化物膜或金属氧氮化物膜。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于所述形成阻挡膜包括：

在所述电极上形成金属膜，以及

对所述金属膜进行氧化、氮化以及氧氮化处理中的一种处理。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于所述形成电极以及所述形成阻挡膜包括：

形成包含金的膜，

在所述包含金的膜上形成金属膜，

在与所述电极对应的区域中移除所述包含金的膜和所述金属膜，

对所述金属膜进行氧化、氮化以及氧氮化处理中的一种处理。