[发明专利]一种纳米尺寸阻变存储器小孔的制备方法

权利要求书

1.一种纳米尺寸阻变忆阻器小孔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在需要制备小孔的衬底上淀积牺牲层；

2)涂光刻胶；

3)进行光刻，定义出牺牲层的图形；

4)干法刻蚀牺牲层；

5)去除光刻胶，将光刻胶上的图形转移到牺牲层上；

6)淀积需要制备小孔的材料层；

7)化学机械抛光，抛光停止点以牺牲层的图形顶端为准；

8)湿法腐蚀牺牲层，得到所需制备的小孔。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤1)中，所述衬底为Si衬底或玻璃衬底等。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤1)中，所述牺牲层的材料为二氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃等材料中的一种。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤1)中，所述牺牲层的厚度在2nm和500nm之间

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤3)中，光刻采用光学光刻或电子束光刻。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤6)中，所述材料层采用多晶硅或氧化硅等。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤6)中，所述材料层的厚度与牺牲层的厚度相同，或稍大于牺牲层的厚度。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤8)中，湿法腐蚀牺牲层采用的腐蚀液，对于牺牲层的腐蚀速率远远大于对材料层的腐蚀速率。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述腐蚀液为1∶10～1∶40的氢氟酸HF和氟化铵NH4F的混合液或者HF溶液。