[发明专利]功率变换装置、半导体装置及功率变换装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及功率变换装置、半导体装置及功率变换装置的制造方法，更具体地，涉及包括连接端子的功率变换装置、半导体装置、和功率变换装置的制造方法。

背景技术

一般已知包括连接端子的功率变换装置。

日本专利特开No.2010-98036公开一种半导体装置(功率变换装置)，该半导体装置包括绝缘基板、安装在绝缘基板的表面上的半导体元件(功率变换元件，诸如IGBT或者功率MOSFET)以及电连接到半导体元件的主电极的外部连接端子(连接端子)。在该半导体装置中，半导体元件的主电极和外部连接端子通过在水平方向上延伸的接合导线彼此电连接。

然而，在根据上述日本专利特开No.2010-98036的半导体装置中，半导体元件的主电极和外部连接端子通过在水平方向上延伸的接合导线彼此连接，因而在水平方向上延伸的接合导线可能不利地彼此干扰。因而，如果避免干扰，则半导体装置(功率变换装置)的大小可能被不利地增加。因此，很难将功率变换装置小型化。

发明内容

为了解决上述问题而提出本发明，并且本发明的目的是提供一种功率变换装置、半导体装置及能够小型化的功率变换装置的制造方法。

为了获得上述目的，根据本发明的第一个方面的一种功率变换装置包括：第一基板；第二基板，其与所述第一基板相对地设置；功率变换元件，其安装在所述第一基板和所述第二基板之间；以及壳体部，其被设置为包围所述第一基板和所述第二基板。所述壳体部包括：第一连接端子，其连接到设置在所述第一基板的更接近所述功率变换元件的一侧的第一导电图案；以及第二连接端子，其连接到设置在所述第二基板的与所述功率变换元件相反的一侧的第二导电图案。

在根据第一个方面的功率变换装置中，壳体部包括第一连接端子和第二连接端子，第一连接端子连接到设置在第一基板的更接近功率变换元件的一侧的第一导电图案，并且第二连接端子连接到设置在第二基板的与功率变换元件相反的一侧的第二导电图案。藉此，可以将第一连接端子和第二连接端子电连接到安装在第一基板和第二基板之间的功率变换元件而不使用例如在水平方向上延伸的接合导线。因而，功率变换装置可小型化。

根据本发明的第二个方面的半导体装置包括：第一基板；第二基板，其与所述第一基板相对地设置；功率变换元件，其安装在所述第一基板和第二基板之间；以及壳体部。所述壳体部包括：第一连接端子，其连接到设置在所述第一基板的更接近所述功率变换元件的一侧的第一导电图案；以及第二连接端子，其连接到设置在所述第二基板的与所述功率变换元件相反的一侧的第二导电图案。

在根据第二个方面的半导体装置中，壳体部包括第一连接端子和第二连接端子，第一连接端子连接到设置在第一基板的更接近功率变换元件的一侧的第一导电图案，并且第二连接端子连接到设置在第二基板的与功率变换元件相反的一侧的第二导电图案。藉此，可以将第一连接端子和第二连接端子电连接到安装在第一基板和第二基板之间的功率变换元件而不使用例如在水平方向上延伸的接合导线。因而，半导体装置可以小型化。

根据本发明的第三个方面的功率变换装置的制造方法包括以下步骤：在第一基板和第二基板之间安装功率变换元件；将安装有所述功率变换元件的所述第一基板和所述第二基板从所述第二基板侧插入壳体部中，并且将所述第一基板和所述第二基板附接到所述壳体部；使所述壳体部所具有的第一连接端子与设置在所述第一基板上的第一导电图案的连接部彼此接合；以及使所述壳体部所具有的第二连接端子与设置在所述第二基板上的第二导电图案的连接部彼此接合。

根据本发明的第三个方面的功率变换装置的制造方法包括使壳体部所具有的第一连接端子与设置在第一基板上的第一导电图案的连接部彼此接合，并且使壳体部所具有的第二连接端子与设置在第二基板上的第二导电图案的连接部彼此接合，藉此可以将第一连接端子和第二连接端子电连接到安装在第一基板和第二基板之间的功率变换元件而不使用例如在水平方向上延伸的接合导线。因而，可以提供能够小型化的功率变换装置的制造方法。

当结合附图时，根据以下对本发明的详细描述，本发明的上述和其它目的、特征、方面和优点将变得更加明显。

附图说明

图1是根据本发明的第一实施方式的功率模块的电路图；

图2是根据本发明的第一实施方式的功率模块的平面图；

图3是沿着图2中的线300-300截取的截面图；

图4是沿着图2中的线400-400截取的截面图；

图5是根据本发明的第一实施方式的功率模块的第一基板的顶视图；