[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201210046998.X | 申请日: | 2012-02-22 |
公开(公告)号: | CN102651353A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 岩根知彦 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 毛立群;李家麟 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及带载(tape carrier)型半导体装置及其制造方法。
背景技术
近年,在大多数半导体装置的制造工序中,为了牢固地固定被配置在基板上的半导体元件等电子部件,多采用利用树脂来封装被配置在基板上的电子部件的技术。而在采用上述技术的半导体装置的制造工序中,为了实现提高半导体元件质量、削减制造成本、缩短制造时间等目的,如何更有效地利用树脂来封装电子部件已成为亟待解决的问题。
在此,对于利用树脂来封装被配置在基板上的电子部件的技术,以往已经揭露了各种用于提高封装效率的技术。
例如,在专利文献1中揭露了以下技术。即,在用树脂封装被装载在配线基板上的裸芯片(bare chip)时,为了防止树脂向外侧大幅蔓延,在配线基板的裸芯片装载部上,设置比裸芯片大的围栏,用于防止树脂流向外侧。
在专利文献2中揭露了以下技术。即,为了防止过量填充的液体状树脂流到基板上,在焊锡蚀刻胶部上设置贮存液体状树脂的凹部。
在专利文献3中揭露了以下技术。即,为了用最少量的树脂有效地封装IC芯片,将IC芯片的外形各边、与绝缘保护膜的开口边缘部之间的距离(间隙(clearance))设置为0.2mm~0.5mm。
此外,在专利文献4中揭露了以下技术。即,为了使当柔性基板弯曲时,底部填充(underfill)树脂不易与基板剥离,在装载电子部件的区域的外侧,即应力最集中的位置上,设有绝缘覆盖膜的开口部。在该开口部中,使底部填充树脂牢固地粘贴在柔性基板上。
(现有的半导体装置)
在此,对现有的半导体装置进行说明。该现有的半导体装置采用了利用树脂来封装被配置在基板上的电子部件的技术。图7为表示现有的半导体装置700的顶面图。图8为表示现有的半导体装置700的侧断面图。
如图7和图8所示,半导体装置700具有基板702、配线图形704、绝缘保护膜706、以及半导体元件708。图7和图8所示的是,填充剂710被填充之前的半导体装置700。而填充有填充剂710的半导体装置700如下述图9所示。
基板702即所谓柔性基板,具有柔软性。在基板702的顶面,形成有配线图形704。而形成有配线图形704的基板702的顶面还被具有绝缘性的绝缘保护膜706所覆盖。
在绝缘保护膜706中,在用于设置半导体元件708的部分形成有开口部706a。在该现有技术例中,半导体元件708的外形为长方形。相应地,开口部706a的外形也与半导体元件708的外形大致相同,也为长方形。
然而,所述开口部706a的尺寸比半导体元件708大。具体来说,开口部706a所形成的长方形的各边长与半导体元件708所形成的长方形的各相应边长相比,长0.4mm~1.0mm。因此,开口部706a的边缘部与半导体元件708的边缘部之间的间隙d1为0.2mm~0.5mm。
半导体元件708被设置在基板702的顶面,且位于开口部706a内。该半导体元件708通过电极708a与配线图形704相连接。
(填充剂710的填充)
在图7和图8所示的现有的半导体装置700中,为了实现上述目的,如图9所示,填充有填充剂710。图9为表示填充有填充剂710后的现有的半导体装置700的侧断面扩大图。具体来说,将半导体元件708封装在基板702的顶面上之后,再将填充剂710填充在形成于基板702顶面的开口部706a中。
使用分配器900来填充填充剂710。在分配器900中,事先填充好充足的填充剂710。在使用填充剂710进行填充时,首先,将分配器900的喷嘴部902置于开口部706a和半导体元件708之间的间隙内(例如,图7所示的位置P1)。然后,使填充剂710从喷嘴部902的前端喷出,同时沿开口部706a和半导体元件708之间的间隙移动分配器900,将填充剂710注入开口部706a内。由此,使填充剂710填充整个开口部706a的内部。
<现有技术文献>
专利文献1:日本国专利申请公开公报“特开平11-214586号公报”,1999年8月6日公开。
专利文献2:日本国专利申请公开公报“特开2004-349399号公报”,2004年12月9日公开。
专利文献3:日本国专利申请公开公报“特开2005-175113号公报”,2005年6月30日公开。
专利文献4:日本国专利申请公开公报“特开2009-4710号公报”,2009年1月8日公开。
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