[发明专利]一种利用应变硅技术提高SONOS的擦写速度的方法

权利要求书

1.一种利用应变硅技术提高SONOS晶体管的擦写速度的方法，其特征在于，在形成若干浅沟槽隔离区的P型衬底上制作完栅极的侧墙后，还包括如下步骤：

步骤1，沉淀阻挡层覆盖所述晶体管；

步骤2，刻蚀去除覆盖在NMOS区域上方的阻挡层使所述NMOS区域暴露；

步骤3，在所述栅极两侧与浅沟槽隔离区之间的P型衬底上进行碳离子注入；

步骤4，进行高温退火，使所述碳化硅对沟道产生张应力。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在完成步骤4后，还包括去除阻挡层的步骤。

3.一种采用权利要求1或2所述的方法制作的SONOS单元晶体管，包括若干成对PMOS和NMOS，所述NMOS包括：

具有若干成对有源区的P型硅衬底，每一对有源区之间形成有沟道；

栅极，位于所述沟道上方，所述栅极的侧墙之间具有氧化硅-氮化硅-氧化硅层，所述氧化硅-氮化硅-氧化硅层上为多晶硅；

所述成对有源区的外围的两侧分别设置有浅沟槽隔离区；

其特征在于，所述NMOS的有源区成对有源区包括碳化硅。

4.根据权利要求3所述的SONOS单元晶体管，其特征在于，所述成对有源区包括源极和漏极。