[发明专利]一种p型透明导电掺锂氧化镍薄膜及其制备方法

权利要求书

1. 一种p型透明导电掺锂氧化镍薄膜，其特征在于：该掺锂氧化镍薄膜材料为Li_xNi_1-xO，x = 0.01～0.30，由电子束蒸发镀膜技术制备获得，其中薄膜厚度为50～500 nm，最高电导率达到9.4 S·cm^-1，可见光区域的平均透射率高于60%。

2.一种p型透明导电掺锂氧化镍薄膜的制备方法，其特征是采用电子束蒸发镀膜技术制备，具体步骤如下：以化学纯氧化镍和碳酸锂为原料，经过研磨、压片、固相反应、烧结过程制成掺锂氧化镍Li_xNi_1-xO陶瓷靶；以Li_xNi_1-xO陶瓷靶为蒸发源料，玻璃为基板，在基板温度为室温的条件下，电子束蒸发高压为6 kV档位，扫描电流X为0.6 mA，Y为0 mA，扫描波动范围为正负0.05 mA，蒸镀时不通入任何气体，本底压强为5.0×10^-4Pa～5.0×10^-5Pa，电子束流为20 mA～250 mA，蒸发时间5～45 分钟，即形成具有非晶结构的掺锂氧化镍薄膜，并将蒸发的薄膜移入退火炉中进行退火处理，退火温度为100^oC～450^oC，退火时间为1 h～3 h，即形成具有多晶结构的p型透明导电掺锂氧化镍薄膜。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征是p型Li_xNi_1-xO陶瓷靶的制备温度在700^oC～720^oC。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征是蒸发时基板温度为25^oC。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征是蒸镀时不通入任何气体，工作压强为3.0×10^-4Pa～5×10^-4Pa。