[发明专利]交叉滚针导轨副有效
| 申请号： | 201210047739.9 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102593022A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 陈文;付江波 | 申请（专利权）人： | 北京中电科电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 100176 北京市北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 交叉 导轨 | ||
1.一种交叉滚针导轨副，其特征在于：包括：
第一导轨；
第二导轨，其高度低于所述第一导轨的高度，且所述第二导轨沿所述第一导轨轴向运动；
滚针，设置在所述第一导轨和所述第二导轨接触面之间。
2.根据权利要求1所述的交叉滚针导轨副，其特征在于：还包括用于安装所述滚针的保持架，所述第二导轨通过所述滚针可沿着所述第一导轨轴向运动。
3.根据权利要求2所述的交叉滚针导轨副，其特征在于：所述滚针的一端与所述第一导轨接触，另一端与所述第二导轨接触；或者，
所述滚针分别设置在所述保持架与所述第一导轨接触面之间、所述保持架与第二导轨接触面之间。
4.根据权利要求2所述的交叉滚针导轨副，其特征在于：所述第一导轨上设有V型槽，所述第二导轨上设有与所述V型槽相适配的凸起。
5.根据权利要求4所述的交叉滚针导轨副，其特征在于：所述保持架为与所述第一导轨的V型槽、第二导轨的凸起相适配的V型结构。
6.根据权利要求4或5所述的交叉滚针导轨副，其特征在于：所述V型槽的角度为90度。
7.根据权利要求2所述的交叉滚针导轨副，其特征在于：所述保持架上设有用于设置所述滚针的凹槽或通孔。
8.根据权利要求7所述的交叉滚针导轨副，其特征在于：所述凹槽或通孔与所述滚针之间具有用于容纳润滑脂的间隙。
9.根据权利要求7或8所述的交叉滚针导轨副，其特征在于：所述保持架采用塑料注塑成型。
10.根据权利要求7或8所述的交叉滚针导轨副，其特征在于：所述保持架采用铝合金、钢、铜或铜合金制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中电科电子装备有限公司，未经北京中电科电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210047739.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
