[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一晶体管，包括：

第一导电类型的第一杂质层，形成在半导体衬底的第一区域中；

第一外延半导体层，形成在所述第一杂质层的上方；

第一栅极绝缘膜，形成在所述第一外延半导体层的上方；

第一栅极电极，形成在所述第一栅极绝缘膜的上方；及

第二导电类型的第一源极/漏极区域，形成在所述第一区域中的所述第一外延半导体层和所述半导体衬底中；以及

第二晶体管，包括：

第二导电类型的第二杂质层，形成在所述半导体衬底的第二区域中；

第二外延半导体层，形成在所述第二杂质层的上方，且具有与所述第一外延半导体层的膜厚度不同的膜厚度；

第二栅极绝缘膜，形成在所述第二外延半导体层的上方，且具有与所述第一栅极绝缘膜的膜厚度相等的膜厚度；

第二栅极电极，形成在所述第二栅极绝缘膜的上方；及

第一导电类型的第二源极/漏极区域，形成在所述第二区域中的所述第二外延半导体层和所述半导体衬底中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第三晶体管，包括：

第一导电类型的第三杂质层，形成在所述半导体衬底的第三区域中；

第三外延半导体层，形成在所述第三杂质层的上方，且具有与所述第一外延半导体层的膜厚度不同的膜厚度；

第三栅极绝缘膜，形成在所述第三外延半导体层的上方，且具有与所述第一栅极绝缘膜和所述第二栅极绝缘膜的膜厚度不同的膜厚度；

第三栅极电极，形成在所述第三栅极绝缘膜的上方；及

第二导电类型的第三源极/漏极区域，形成在所述第三区域中的所述第三外延半导体层和所述半导体衬底中；以及

第四晶体管，包括：

第二导电类型的第四杂质层，形成在所述半导体衬底的第四区域中；

第四外延半导体层，形成在所述第四杂质层的上方，且具有与所述第一外延半导体层的膜厚度不同的膜厚度；

第四栅极绝缘膜，形成在所述第四外延半导体层的上方，且具有与所述第一栅极绝缘膜和所述第二栅极绝缘膜的膜厚度不同的膜厚度；

第四栅极电极，形成在所述第四栅极绝缘膜的上方；及

第一导电类型的第四源极/漏极区域，形成在所述第四区域中的所述第四外延半导体层和所述半导体衬底中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一外延半导体层的膜厚度大于所述第二外延半导体层的膜厚度，以及

形成所述第一杂质层的杂质的扩散速度高于形成所述第二杂质层的杂质的扩散速度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第二杂质层包含硼和碳。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述第一杂质层包含砷。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一杂质层包含硼和碳。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，

所述第二杂质层包含锑。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一外延半导体层的表面高度与所述第二外延半导体层的表面高度相等。

9.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

在半导体衬底的第一区域中形成第一导电类型的第一杂质层；

在所述半导体衬底的第二区域中形成第二导电类型的第二杂质层；

在其中形成有所述第一杂质层和所述第二杂质层的所述半导体衬底的上方外延生长半导体层；

在所述半导体层的上方形成覆盖所述第一区域且暴露所述第二区域的掩模；

通过使用所述掩模去除所述半导体层的一部分，以使所述第二区域中的所述半导体层的厚度变薄；

去除所述掩模；

在所述第一区域中的所述半导体层的上方形成第一栅极绝缘膜，并且在所述第二区域中的所述半导体层的上方形成膜厚度与所述第一栅极绝缘膜的膜厚度相等的第二栅极绝缘膜；以及

分别在所述第一栅极绝缘膜的上方以及在所述第二栅极绝缘膜的上方形成第一栅极电极和第二栅极电极。