[发明专利]一种存储管理方法

说明书

技术领域

本发明涉及数据处理领域，更具体地说，涉及一种存储管理方法。

背景技术

Nand flash是一种非易失性闪存存储器，具有很高的存储密度，可以实现大容量存储，并且具有很高的写入和擦除速度。目前nand flash广泛应用于嵌入式设备的存储卡及U盘、SSD固态硬盘等。

Nand flash由多个block组成，这些block是nand flash中的最小可擦除单元。每个block由多个page组成，这些page是nand flash中的最小可写入单元。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的page单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须要先对需要写入的page执行擦除操作。

实际应用中，由于nand flash上述特性限制的存在，需要设计专门的管理算法对nand flash存储空间和地址及数据传输流程进行配置和管理，以使数据存取操作适应nand flash特性。

在设计管理方法时，一般都要以block或page作为管理单元的物理地址和逻辑地址映射关系中的关键数据。由于随机坏块的存在，该类映射关系通常不会通过建立表达式计算获得，一般的，需要建立并存储完整映射表。

目前，基于映射表的使用，可以分为静态管理和动态管理两类。

其中，静态管理将数据的存储地址进行固定分配，除非出现坏块而必须变更存储地址以外，任何时刻每个block、每个page对应的地址都不变，对应同一目标地址的数据操作每次必然都针对同一block进行擦除或同一page进行存取。虽然静态管理方案设计较简单，实现较容易，但是也存在缺陷存取效率不佳的缺陷。

另外，动态管理中，数据的存储地址在分配后不会一成不变，会根据实际情况发生变化，原则是尽量往空白的page写入新数据，或者根据损耗均衡的需求选择低损耗的page写入数据。然后变更映射表中的对应映射关系。动态管理方案的主要设计目的是降低在写操作流程之中需要预先对目标page进行擦除操作的频率，以使写操作具有较高的效率。但是，动态管理需要频繁修改映射表，而nand flash中的数据写入最小单元为page，一个page的容量可以存储相当数量的映射关系，因此一个page内任何一条映射关系数据的修改都会导致整个page的重写。从而导致了nand flash存储器中映射表所在存储空间损耗大大高于数据空间，损耗均衡效果差，容易在映射表所在存储空间出现坏块。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种存储管理方法，以实现减少nand flash存储器中映射表所在存储空间容易产生坏块几率的目的。

本发明实施例是这样实现的：

一种存储管理方法，包括步骤：

S11、存储设备上电时，在nand flash的映射表写入缓存后；读取预设的采用非易失性存储介质建立的日志；所述日志用于记录缓存对nand flash的映射关系所作出的修改；

S12、当所述日志内容不为空时，根据所述日志更新所述缓存及所述nand flash中的映射表；

S13、当所述日志所占空间到达设定值时，根据所述缓存中的映射表更新所述nand flash中的映射表并清空所述日志。

优选的，在本发明实施例中，所述设定值为日志所占空间nor flash大小的百分比

优选的，在本发明实施例中，所述百分比为100％。

优选的，在本发明实施例中，所述非易失性存储介质包括：

nor flash或EEPROM。

从上述技术方案可以看出，在本发明实施例中，通过设有采用非易失性存储介质建立的日志来记录缓存对nand flash的映射关系所作出的修改。从而可以在存储设备上电时可以根据日志来更新nand flash中的映射表。由于本发明实施例中，不必每次nand flash的映射关系作出修改时都要重写nand flash的映射表，所以，有效地减少了nand flash存储器中映射表所在存储空间的重写次数，进而也就减少了nand flash存储器中映射表所在存储空间的损耗，避免了该存储空间由于损耗过大而造成的坏块高发的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。