[发明专利]固体摄像元件的制造方法、 固体摄像元件和电子装置有效
申请号: | 201210048305.0 | 申请日: | 2012-02-28 |
公开(公告)号: | CN102651382A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 糸长总一郎 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 元件 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种固体摄像元件的制造方法,其包括以下步骤:
制造摄像芯片,所述摄像芯片的主表面侧上布置有光电转换单元;
制备基座,所述基座是使用膨胀系数大于所述摄像芯片的材料构成的,并具有开口,所述开口的周边成形为平坦表面;
在所述基座的所述开口被封闭的状态下,将所述摄像芯片安装到所述基座的所述平坦表面上;
通过加热使所述基座膨胀;
将所述摄像芯片固定到膨胀的所述基座的所述平坦表面上;以及
通过冷却所述基座并使其收缩,使所述摄像芯片的与所述开口相对应的部分立体弯曲。
2.根据权利要求1所述的固体摄像元件的制造方法,其还包括:
在安装所述摄像芯片的所述步骤之前,在所述开口内部填充未固化的树脂,
其中,在将所述摄像芯片安装到所述基座的所述平坦表面上的所述步骤中,布置有所述光电转换单元的所述主表面侧是面向上的,且
在冷却所述基座并使其收缩的所述步骤中,通过使所述树脂固化并收缩,使所述摄像芯片朝向所述开口一侧弯曲。
3.根据权利要求1所述的固体摄像元件的制造方法,其中,
在将所述摄像芯片安装到所述基座的所述平坦表面上的所述步骤中,布置有所述光电转换单元的所述主表面侧是面向上的,且
在冷却所述基座并其收缩的所述步骤中,密封所述开口的内部,且使所述开口内部的气体冷却并发生体积收缩,从而使所述摄像芯片朝向所述开口一侧弯曲。
4.根据权利要求1所述的固体摄像元件的制造方法,其还包括:
在制备所述基座的所述步骤中,在所述基座的所述平坦表面上设置排气槽,所述排气槽与所述基座的外部连通,
其中,在将所述摄像芯片固定到所述基座的所述平坦表面上的所述步骤中,通过从所述排气槽抽气将所述摄像芯片真空吸附到所述基座的所述平坦表面。
5.根据权利要求1所述的固体摄像元件的制造方法,其还包括:
在制造所述摄像芯片的所述步骤中,在所述摄像芯片的面向所述基座的表面上布置芯片侧电极,
在制备所述基座的所述步骤中,在所述基座的所述平坦表面上布置基座侧电极,且
在将所述摄像芯片固定到所述基座的所述平坦表面上的所述步骤中,通过在所述基座的所述平坦表面和所述摄像芯片之间布置各向异性导电粘合剂来连接所述芯片侧电极和所述基座侧电极。
6.一种固体摄像元件的制造方法,其包括:
制造摄像芯片,所述摄像芯片的主表面侧上布置有光电转换单元;
制备基座,所述基座是使用膨胀系数大于所述摄像芯片的材料构成的,并具有开口,所述开口的周边成形为平坦表面;
在所述基座的所述开口被封闭的状态下,将所述摄像芯片安装到所述基座的所述平坦表面上;以及
在将所述摄像芯片固定到所述基座的所述平坦表面的状态下,使由所述摄像芯片封闭的所述开口的内部发生体积收缩,从而使所述摄像芯片朝向所述开口一侧立体弯曲。
7.根据权利要求6所述的固体摄像元件的制造方法,其中,在使所述开口的内部发生体积收缩的所述步骤中,从所述开口的内部排出气体。
8.根据权利要求6所述的固体摄像元件的制造方法,其中,
所述开口的内壁形成为立体弯曲的凹曲面,并且
在使所述开口的内部发生体积收缩的所述步骤之后,朝向所述开口一侧立体弯曲的所述摄像芯片通过布置在所述摄像芯片和所述凹曲面之间的粘合剂固定到所述凹曲面。
9.一种固体摄像元件,其包括:
摄像芯片,其具有立体弯曲的弯曲部和从所述弯曲部的外周缘延伸出的平坦部;以及
光电转换单元,其布置在所述摄像芯片的所述弯曲部的凹面侧上。
10.根据权利要求9所述的固体摄像元件,其中,所述摄像芯片的所述平坦部布置在所述摄像芯片的所述弯曲部的整个圆周上,且所述平坦部具有共面结构。
11.根据权利要求9所述的固体摄像元件,其中,所述弯曲部的底面是圆形的。
12.根据权利要求9所述的固体摄像元件,其中,在所述摄像芯片中,摄像区域的周边布置有周边电路,且所述摄像区域中布置有所述光电转换单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的