[发明专利]一种集成电路金属互连结构及其制备方法

权利要求书

1.一种集成电路金属互连结构，包括上、下层金属互连线以及连接上下层金属互连线的通孔，其特征在于，在上层金属互连线的表面覆盖单层或多层石墨烯。

2.如权利要求1所述的集成电路金属互连结构，其特征在于，所述下层金属互连线是钨，或表面包覆NiWP、CuSiN、CoWP等覆盖层的铜，镍，铜的合金或镍的合金。

3.如权利要求1所述的集成电路金属互连结构，其特征在于，上层金属采用铜，镍，铜的合金或镍的合金。

4.一种金属互连线结构的制备方法，具体步骤包括：

1)制备下层金属连线结构，并在该金属连线结构之上沉积介质层；

2)形成金属互连线；用化学机械抛光的方法使结构表面平整化并使上层金属互连线表面露出；

3)在上层金属连线表面覆盖单层或多层石墨烯。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤1)中介质层是二氧化硅，或掺杂二氧化硅、有机聚合物，或者是多孔材料等低K介质材料。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤2)中形成金属互连线具体包括：

i)刻蚀形成连接下层金属连线的通孔和上层金属连线的沟槽；

ii)在上述通孔和沟槽的底部和侧壁沉积一层扩散阻挡层和金属种籽层，并沉积上层金属连线。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤3)具体包括：用化学气相沉积方法在上层金属连线表面原位生长石墨烯层。