[发明专利]OLED器件、AMOLED器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及照明器件及显示器件制造领域，尤其涉及一种OLED器件、AMOLED器件及AMOLED器件的制造方法。

背景技术

有机发光显示器件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)的基本结构包括阳极层，功能层和阴极层。其中功能层包括：空穴传输层、发光层与电子传输层。当给阴极和阳极提供适当电压时，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层，并分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层，空穴与电子在发光层中复合发光，从而实现OLED器件自身发光的特性。

为了增加发光效率，OLED器件的阳极材料必需具有高功函数和可透光性，而阴极材料通常需要具有低功函数。所以具有4.5eV-5.3eV的功函数、性质稳定且透光的ITO透明导电膜被广泛用作阳极材料。具有低功函数的Al、Ca、Li与Mg等金属或低功函数的复合金属通常用作阴极材料。但通常情况下，ITO薄膜和各种金属自身的功函数是固定的，提高ITO薄膜的功函数或者降低金属的功函数主要是通过对它们进行表面处理来实现的，因此对现有OLED器件电极功函数的调节范围是很有限的，这就限制了OLED器件显示效率的提高。

此外，有源矩阵有机发光显示器件(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)主要由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和OLED构成。其中，TFT包括栅电极、栅绝缘层、TFT有源层、源漏电极、和像素电极层等结构。OLED包括阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层等结构。这种复杂的结构造成AMOLED器件的制造工艺繁杂，生产成本高的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种OLED器件、AMOLED器件及AMOLED器件的制造方法，用以扩大OLED器件电极功函数的调节范围，同时提高OLED器件的发光效率；减少AMOLED器件的制造工艺，降低生产成本。

为达到上述目的，本发明实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种OLED器件，包括阳极层、功能层和阴极层，其特征在于，所述阴极层和/或所述阳极层由氧化物半导体铟镓锌氧IGZO材料制成。

一方面，提供一种AMOLED器件，包括：TFT有源层、像素电极层及OLED器件，其特征在于，所述OLED器件包括阴极层和功能层，所述像素电极层作为所述OLED器件的阳极层；或者，所述OLED器件包括阳极层和功能层，所述像素电极层作为所述OLED器件的阴极层；

且所述TFT有源层、像素电极层由同一层IGZO薄膜经过构图工艺形成的。

一方面，提供一种AMOLED器件的制造方法，该方法包括，

在衬底上依次形成栅电极、栅绝缘层；

沉积IGZO薄膜层，并经光刻、刻蚀得到TFT有源层和像素电极层；

依次形成源电极、漏电极和像素界定层；

形成OLED器件。

本发明实施例提供的OLED器件，阴极层和/或阳极层采用IGZO薄膜，与现有技术中相比，OLED器件电极的功函数具有更宽的调节范围，同时提高OLED器件的发光效率。

本发明实施例提供AMOLED器件及AMOLED器件的制造方法，TFT有源层和像素电极层由同一层IGZO薄膜经一次沉积、光刻、刻蚀工艺制成。该像素电极层同时作为OLED器件的阴极层或阳极层。与现有技术相比，减少了AMOLED器件制造过程中像素电极的制造工艺，从而降低AMOLDE器件的生产成本，缩短了生产时间。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的OLED器件一种结构示意图；

图2为本发明实施例提供的AMOLED器件一种结构示意图；

图3为本发明实施例提供的AMOLED器件的另一种结构示意图；

图4为本发明实施例提供的AMOLED器件制造方法的流程图；

图5为本发明实施例提供的AMOLED器件制造方法过程中的器件结构示意图一；

图6为本发明实施例提供的AMOLED器件制造方法过程中的器件结构示意图二；

图7为本发明实施例提供的AMOLED器件造方法过程中的器件结构示意图三；