[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

这里讨论的实施例涉及半导体装置。

背景技术

近年来，在由微处理器代表的数字LSI电路(大规模集成电路)等中，操作速度增加并且热衷于更低的功率消耗。

为了在GHz波段的高频率范围内在低电压下稳定地操作LSI，很重要的是抑制由于LSI的负载阻抗的快速改变而引起的功率源电压变化以及移除功率源的高频噪声。

传统地，通过在半导体装置中提供去耦电容，例如，可以抑制功率源电压变化，并且移除了高频噪声。

现有技术如下所示：

日本公开专利公报No.2005-167039；以及

日本公开专利公报No.2008-235350。

发明内容

根据本发明的方面，半导体装置包括：第一装置区域，其形成在半导体衬底中并且由装置隔离区域限定；第一导电样式的第一晶体管，其包括形成在所述第一装置区域上的第一栅极电极、在所述第一栅极电极的第一侧上形成在所述第一装置区域中的第一源极区域、以及在所述第一栅极区域的第二侧上形成在所述第一装置区域中的第一漏极区域；第一图案，其在所述第一栅极电极的第一侧上形成在所述装置隔离区域上，并与所述第一栅极电极平行；绝缘区域，其形成在所述半导体衬底上方，覆盖所述第一晶体管和所述第一图案；以及第一导体插头，其埋入到第一接触孔中以向下到达所述第一源极区域，其中，所述第一导体插头电连接到接地线和电源线中的一者，并且所述第一图案电连接到所述接地线和所述电源线中的另一者。

可以通过在权利要求中特别指出的元素和组合来实现和获得实施例的目的和优点。

可以理解以上的一般描述和以下的具体描述是示例性的和示意性的，并且不是所要求保护的实施例的限制。

附图说明

图1是根据第一实施例的半导体装置的平面图；

图2是根据第一实施例的半导体装置的单位单元的电路图；

图3A到图3D是根据第一实施例的半导体装置的截面图(部分1)；

图4A到图4D是根据第一实施例的半导体装置的截面图(部分2)；

图5A到图14D是根据第一实施例的半导体装置在用于制造半导体装置的方法的步骤中的截面图，这些图图示了方法；

图15是根据第二实施例的半导体装置的平面图，其图示了结构；

图16A到图16D是根据第二实施例的半导体装置的截面图(部分1)；

图17A到图17D是根据第二实施例的半导体装置的截面图(部分2)；

图18是根据第三实施例的半导体装置的平面图，其图示了结构；

图19A到图19D是根据第三实施例的半导体装置的截面图(部分1)；

图20A到图20D是根据第三实施例的半导体装置的截面图(部分2)；

图21是根据第四实施例的半导体装置的平面图；

图22A到图22D是根据第四实施例的半导体装置的截面图(部分1)；

图23A到图23D是根据第五实施例的半导体装置的截面图(部分2)；

图24是根据第五实施例的半导体装置的平面图；

图25A到图25D是根据第五实施例的半导体装置的截面图(部分1)；

图26A到图26D是根据第五实施例的半导体装置的截面图(部分2)；

图27是根据第六实施例的半导体装置的平面图；

图28A到图28D是根据第六实施例的半导体装置的截面图(部分1)；

图29A到图29D是根据第六实施例的半导体装置的截面图(部分2)；

图30是根据第七实施例的半导体装置的平面图；

图31A到图31D是根据第七实施例的半导体装置的截面图(部分1)；

图32A到图32D是根据第七实施例的半导体装置的截面图(部分2)；

图33是根据第八实施例的半导体装置的平面图；以及

图34是根据第九实施例的半导体装置的平面图。

具体实施方式

在半导体装置中提供去耦电容是阻挡半导体装置的小型化等的因素。

将会参照附图详细解释本发明的优选实施例。

[a]第一实施例

将会参照图1到图14D描述根据第一实施例的半导体装置及其制造方法。

(半导体装置)

首先，将会参照图1到图4D描述根据本发明的半导体装置。