[发明专利]一种双层ITO 布线结构

权利要求书

1.一种双层ITO布线结构，所述每层ITO上分别设有第一种触控电极和第二种触控电极，其特征在于，所述第一种触控电极的形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称排列组成，且其中间形成第一空隙；所述第二种触控电极的形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称封闭连接组成，且其中间形成第二空隙，所述第二种触控电极最边缘的矩形波波谷的宽度是所述矩形波波峰宽度的一半。

2.根据权利要求1所述的双层ITO布线结构，其特征在于，所述第二种触控电极依次顺序布设在第一种触控电极的空隙区域。

3.根据权利要求1或2所述的双层ITO布线结构，其特征在于，所述两相邻的第二种触控电极的矩形波波峰相互桥接，且横跨所述第一种触控电极中的第一空隙。

4.根据权利要求3所述的双层ITO布线结构，其特征在于，所述两相邻的第二种触控电极的矩形波波峰通过一金属导线相桥接，桥接点位于所述第二种触控电极的矩形波波峰处，所述金属导线被一绝缘体包裹。

5.根据权利要求1所述的双层ITO布线结构，其特征在于，所述第一种触控电极的矩形波形状和所述第二种触控电极的矩形波形状相同。

6.根据权利要求1或5所述的双层ITO布线结构，其特征在于，所述第一空隙的宽度和所述第二空隙的宽度相同，范围在0.15mm~0.3mm之间。

7.根据权利要求1所述的双层ITO布线结构，其特征在于，所述第二种触控电极的矩形波至少包括两个波峰。

8.根据权利要求6所述的双层ITO布线结构，其特征在于，所述第一种触控电极的矩形波至少包括三个波峰。

9.根据权利要求1所述的双层ITO布线结构，其特征在于，所述第二种触控电极呈“卅”字形结构。

10.根据权利要求1所述的双层ITO布线结构，其特征在于，所述两种触控电极布设在同一侧面内。