[发明专利]一种生长晶体材料时的温度引导装置及其方法

权利要求书

1.一种生长晶体材料时的温度引导装置，包括炉室(21)、发热体(22)、坩埚(6)、冷却介质降温机构和导热通路，其特征是：在炉室(21)内设有坩埚(6)，坩埚(6)的外部设有发热体(22)，所述发热体(22)处于炉室(21)内，坩埚(6)的下部设有冷却介质降温机构，在坩埚(6)的上端设有上盖(23)，上盖(23)的下部与坩埚(6)的上端之间设有导热通路，由上盖(23)形成发热体(22)热能向坩埚(6)上部的聚拢，由导热通路引导热能向坩埚(6)内晶体材料(7)上部的加热，获取坩埚(6)内晶体材料(7)上部的温度高于坩埚(6)内下部的晶体材料(7)。

2.根据权利要求1所述的生长晶体材料时的温度引导装置，其特征是：在发热体(22)外部的炉室(21)中设有保温罩(9)。

3.根据权利要求1所述的生长晶体材料时的温度引导装置，其特征是：在坩埚(6)与发热体(22)之间设有套筒(8)，套筒(8)为单层或多层，所述套筒(8)的下端处于炉室底板或底部保温层(16)上；或所述单层或多层套筒(8)下端处于支撑环(17)上，所述支撑环(17)下端处于炉室底板或底部保温层(16)上。

4.根据权利要求1所述的生长晶体材料时的温度引导装置，其特征是：在上盖(23)的外缘设有向四周延伸的上盖外沿(2)，上盖(23)的下部放置在所述坩埚(6)的上端；或放置在套筒(8)的上端；或放置在坩埚(6)与套筒(8)之间设置的盖环(5)上部，上盖(23)的下部与套筒(8)或盖环(5)的上端之间设有导热通路。

5.根据权利要求1或4所述的生长晶体材料时的温度引导装置，其特征是：所述上盖(23)为平板结构或中部向上凸起结构，在上盖(23)外缘设置的上盖外沿(2)由中部连接处向外方为水平结构；或上盖外沿(2)的外缘为上翘；或上盖外沿(2)的外缘为向下设置。

6.根据权利要求4所述的生长晶体材料时的温度引导装置，其特征是：所述上盖外沿(2)的外缘设置有向上环形凸起，附加盖(1)扣在上盖外沿(2)环形凸起中形成多层盖。

7.根据权利要求1或4所述的生长晶体材料时的温度引导装置，其特征是：所述的导热通路为上盖(23)的下部设有复数个支腿(3)，所述支腿(3)下端放置在坩埚(6)上部或盖环(5)上部或套筒(8)上部，由支腿(3)与支腿(3)之间的豁口(4)形成导热通路。

8.根据权利要求1所述的生长晶体材料时的温度引导装置，其特征是：所述的导热通路为套筒(8)上端顶在上盖(23)的下部面上，在套筒(8)上端设有复数个上部豁口(25)，由所述复数个上部豁口(25)形成导热通路。

9.根据权利要求1所述的生长晶体材料时的温度引导装置，其特征是：所述的导热通路为在上盖(23)下部与坩埚(6)、套筒(8)以及盖环(5)之间设置圆环(27)，在圆环(27)上分布复数个内外贯通的开孔(28)；或在圆环(27)上部设置复数个豁口(4)；或在圆环(27)下部设置复数个豁口(4)；或圆环(27)的上部和下部同时设置复数个豁口(4)，由所述圆环(27)上设置的复数个内外贯通的开孔(28)或复数个豁口(4)形成导热通路。

10.根据权利要求9所述的生长晶体材料时的温度引导装置，其特征是：圆环(27)的上下两端分别设有上台阶(26)和下台阶(29)，所述上台阶(26)和下台阶(29)分别为外台阶或内台阶，由圆环(27)上端的所述外台阶或内台阶卡接在上盖(23)下部设置的限位环(24)内侧或外侧的边上；由圆环(27)下端的所述外台阶或内台阶卡接在坩埚(6)或套筒(8)上端的内侧或外侧边上。