[发明专利]用钽电容器废料制备超细碳化钽的方法有效
申请号: | 201210049471.2 | 申请日: | 2012-02-29 |
公开(公告)号: | CN102560127A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 袁宁峰;董欢欢;蒙建柳;黄福龙;曹树稳;涂骏 | 申请(专利权)人: | 江西景泰钽业有限公司 |
主分类号: | C22B7/00 | 分类号: | C22B7/00;C22B11/00;C01B31/30 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 张文 |
地址: | 336300 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钽电容 废料 制备 碳化 方法 | ||
技术领域
本发明涉及碳化钽的制备方法,尤其涉及一种用钽电容器废料制备超细碳化钽的方法。
背景技术
碳化钽是硬质合金、喷气发动机和火箭喷嘴耐高温涂层的重要原料。随着现代工业的发展,超细碳化钽(费氏粒径小于1.0)的用量越来越大。
碳化钽的制备过程是将氧化钽或钽金属粉末与碳混合后,在高温、氢气保护下或真空条件下进行一次及二次碳化,即碳夺取氧化物中的氧(包括低价氧化物中的氧及固溶在金属粉末中的氧)生成CO后,过量的碳与钽结合生成碳化钽。
按照碳化反应的特点,碳化钽有如下三种生产方法:
1、Ta2O5+7C=2TaC+5CO
2、TaH+C=TaC+1/2(H2)
3、Ta2O5+Ta+8C=3TaC+5CO
方法1是标准的生产方法,其基本原料为氧化钽。氧化钽先与炭黑混合成均匀的碳化料,然后在惰性气氛、氢气保护气氛(反应温度1600~2100℃)或真空条件下(反应温度1500~1900℃)进行碳化反应。
方法2的原料是钽金属粉末,该方法的生产成本比较高,必须在特定的条件下使用,但该方法只能生成颗粒比较粗的碳化钽颗粒,生产效率比较高。
方法3是方法1、2的结合,也必须在特定的条件下使用。
钽电容器废料是钽原料的重要组成部分,国内每年就有近200吨的供应量。由于钽电容器废料的多样性(成型块、烧结块、被膜块、废电容器等),一般都采取湿法工艺,将这些废料通过酸溶-萃取工艺,制得氧化钽或氟钽酸钾。该方法由于使用湿法工艺,对环境的污染大。
2000年张德尧 (张德尧.采用废钽料制备细颗粒碳化钽的工艺研究[J].稀有金属与硬质合金,2000.28(5):5-9)曾经利用钽废料制备细粒径碳化钽,其方法是:钽废料先用纯水清洗,再用王水酸洗,然后氢化、破碎、脱氢、碳化,再根据碳含量进行二次碳化,得到碳化钽。由于该方法是使用钽粉来碳化的,由于钽粉颗粒在1000℃就开始长大,故在碳化没有开始时(碳化温度在1600℃以上),钽粉颗粒间就开始长大,所以得到的碳化钽颗粒粗,要得到细颗粒的碳化钽,必须破坏粗大的碳化钽颗粒,这样必须经过高能磨碎机,经过长时间研磨才能等到细颗粒的碳化钽,不仅成本高,而且对设备的要求也高,也会带来大量的金属杂质。并且该方法只能适用于部分品种的钽电容器废料,比如不带包封壳的钽电容器废料。其他的利用电容器废料制备超细碳化钽的报道未见报到。
发明内容
本发明的目的在于提供一种充分利用市场上已有的钽电容器废料、减少行业对钽矿石的需求、回收其中的贵金属-银、减少湿法处理钽电容器废料对环境的污染来制备超细碳化钽的方法。
本发明的目的是这样实现的:
一种用钽电容器废料制备超细碳化钽的方法,特征是:
1、脱壳、分选:将各类品种树脂包封的钽电容器废料投入各种已知的破碎机(如球磨机或对辊机)中,先将树脂包封壳破碎,再利用风选或重选或筛选去除树脂壳,分选出其中的废钽阳极块;
2、酸洗、烘干:将废钽块投入到盐酸和硝酸的混合液中进行动态酸洗,酸洗去废钽阳极块表面的银涂层,使废钽块银层下面的石墨层脱落,酸洗去废钽块中的氧化锰,然后用能够挡住废钽阳极块的滤网进行固液分离,将分离出的酸洗液及细渣集中存放,用于回收酸洗液中的贵金属银,细渣中含有钽,可回收。将得到的废电容器块用去离子水洗涤至中性,烘干备用;
3、氧化:将酸洗后的废钽阳极块投入带罐体的高温炉中,在400~850℃的温度范围内,控制保护气体中的氧分量,利用高温炉进行氧化;
4、球磨:利用球磨机球磨氧化后的物料,得到费氏粒径在0.3~0.5μm的氧化物粉末,取样分析其中的碳、氧含量;
5、一次碳化:根据得到的氧化物粉末的含碳量、含氧量,计算炭粉加入量,将炭粉与氧化物粉末混匀后装入石墨推舟,利用氢保护碳管炉或石墨真空炉,在1600~2100℃进行碳化,得到一次碳化料;
6、二次碳化:将一次碳化完的物料在衬塑球磨机内进行球磨、破碎后过筛,分析其中的氧、碳含量,根据分析结果,配碳,采用与一次碳化相同的条件进行二次碳化,碳化后的物料用氧化钽球在衬塑球磨机内,利用氧化钽球球磨,即得到费氏粒径小于1.0μm的超细碳化钽,用氧化钽球的目的是为了减少杂质污染。
在本发明的步骤3中,保护气体中的氧分量控制在3%~15%,优选氧分量在3~8%;优选的温度为500±50℃。
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