[发明专利]太阳能电池器件及其制备方法无效

申请号：	201210049912.9	申请日：	2012-02-29
公开（公告）号：	CN103296210A	公开（公告）日：	2013-09-11
发明（设计）人：	周明杰;王平;黄辉;张振华	申请（专利权）人：	海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
主分类号：	H01L51/44	分类号：	H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
代理公司：	广州华进联合专利商标代理有限公司 44224	代理人：	何平
地址：	518100 广东省深***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	太阳能电池器件及其制备方法
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【权利要求书】：

1.一种太阳能电池器件，包括依次层叠的阳极、空穴缓冲层、活性层、电子缓冲层及阴极，所述活性层的材料选自P3HT:PCBM、MODO-PPV:PCBM及MEH-PPV:PCBM中的一种，其特征在于，所述太阳能电池器件还包括位于所述活性层和所述电子缓冲层之间的空穴阻挡层，所述空穴阻挡层的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-邻二氮杂菲、1，4-双(三苯基硅烷)苯或喹喔啉衍生物。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池器件，其特征在于：所述空穴阻挡层的厚度为1nm～10nm。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池器件，其特征在于：所述空穴缓冲层的材料为PEDOT与PSS的混合物。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池器件，其特征在于：所述PEDOT与PSS的质量比为2∶1～6∶1。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池器件，其特征在于：所述电子缓冲层为氟化锂、叠氮铯或碳酸铯。

6.一种太阳能电池器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在阳极表面形成空穴缓冲层；

在所述空穴缓冲层表面形成活性层，所述活性层的材料选自P3HT:PCBM、MODO-PPV:PCBM及MEH-PPV:PCBM中的一种；

在所述活性层表面形成空穴阻挡层，所述空穴阻挡层的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-邻二氮杂菲、1，4-双(三苯基硅烷)苯或喹喔啉衍生物；

在所述空穴阻挡层表面形成电子缓冲层；及

在所述电子缓冲层表面形成阴极。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池器件的制备方法，其特征在于：所述空穴阻挡层的厚度为1nm～10nm。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池器件的制备方法，其特征在于：所述空穴缓冲层的材料为PEDOT与PSS的混合物。