[发明专利]一种负磁导率超材料

权利要求书

1.一种负磁导率超材料，包括至少两层具有负磁导率的超材料层，所述超材料层包括基板以及周期性阵列排布在基板上的多个人造微结构组成第一人造微结构层，其特征在于，所述超材料还包括一埋容材料层，所述埋容材料层的两侧面分别设置有多个人造微结构阵列排布的第二人造微结构层，两层所述第二人造微结构层分别与所述超材料层通过半固化片粘结层叠。

2.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述基板为有机高分子基板或陶瓷基板。

3.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述人造微结构为开口谐振环结构或开口谐振环衍生结构的磁性微结构。

4.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述埋容材料的介质层厚度为0.005-0.020mm。

5.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述埋容材料的介电常数为14-20。

6.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述埋容材料的介电损耗为0.003-0.009。

7.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述半固化片的厚度为0.130-0.145mm。

8.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述半固化片的介电常数为7-9。

9.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述半固化片的介电损耗为0.0030-0.0050mm。

10.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述半固化片为FR-4等级的半固化片。