[发明专利]一种量子点接触的制备方法

权利要求书

1.一种量子点接触的制备方法，其特征是：采用第一电极、第二电极，以及位于第一电极与第二电极之间、并且与第一电极与第二电极相接触的中间层，所述的第一电极与第二电极分别由导电性材料构成，所述的中间层由绝缘性介质材料构成；

所述的第一电极形成导电区域一，第二电极与中间层形成导电区域二；

在所述的第一电极与第二电极两端施加电压，在电场驱动下使导电区域二中的离子和/或空位移动至导电区域一，与导电区域一之间形成导电通道；通过调整电压幅值，使所述的导电通道的电导G达到NG₀，其中N为自然数，G₀为量子化电导，即实现了导电区域一与导电区域二之间的量子点接触。

2.根据权利要求1所述的量子点接触的制备方法，其特征是：所述的1≤N≤50。

3.根据权利要求1或2所述的量子点接触的制备方法，其特征是：所述的导电性材料包括导体材料、导电性良好的半导体或者有机物中的一种材料或者两种以上的组合材料。

4.根据权利要求3所述的量子点接触的制备方法，其特征是：所述的导体材料包括金属、金属氧化物或金属氮化物。

5.根据权利要求4所述的量子点接触的制备方法，其特征是：所述的导体材料包括铁、铬、锰、铝、铜、锡、钴、镍、金、钼、钯、锆、银、锂、铌、铂、钛、钽、铟锡氧化物、铝掺杂的氧化锌、氮化钛、氮化铝钛、氮化钽、氮化钨中的至少一种。

6.根据权利要求1或2所述的量子点接触的制备方法，其特征是：所述的绝缘性介质材料包括具有一定绝缘性能的半导体、有机材料或者无机材料。

7.根据权利要求6所述的量子点接触的制备方法，其特征是：所述的绝缘性介质材料包括氧化锌、铁酸铋、钴酸锂、氧化镍、氧化钴、氧化铜、二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌、氧化钨、二氧化铪、氧化铝、碳纳米管、石墨烯、氧化石墨烯、非晶碳、硫化铜、硫化银、非晶硅、氮化钛、聚酰亚胺、聚酰胺、聚西弗碱、聚砜中的至少一种。

8.根据权利要求1或2所述的量子点接触的制备方法，其特征是：所述的第一电极、第二电极与中间层由如下步骤制备得到：

步骤1、采用镀膜的方法在衬底表面制备电极一；

步骤2、采用镀膜的方法在电极一表面制备中间层；

步骤3、采用镀膜的方法在中间层表面制备电极二。

9.根据权利要求8所述的量子点接触的制备方法，其特征是：所述的镀膜的方法包括溶液旋涂、喷墨打印、固体溅射、热蒸发、电子束蒸发的方法中的一种或者两种以上的组合。