[发明专利]无氮介电抗反射薄膜的制作方法无效
| 申请号： | 201210050770.8 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102543715A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈建维;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无氮介 电抗 反射 薄膜 制作方法 | ||
1.一种无氮介电抗反射薄膜的制作方法，其特征在于，包括：
将反应气体通入排气管道直至稳定；
将反应气体通入反应腔中，开启电浆，其中，通入反应气体和开启电浆之间有时间延迟；
进行无氮介电抗反射薄膜的沉积；
关闭反应气体；
关闭电浆。
2.如权利要求1所述的无氮介电抗反射薄膜的制作方法，其特征在于，所述反应气体包括硅烷、二氧化碳以及氦气。
3.如权利要求2所述的无氮介电抗反射薄膜的制作方法，其特征在于，所述硅烷的流量在120sccm至220sccm之间，所述二氧化碳的流量在3800sccm至5800sccm之间，所述氦的流量在3800sccm至5800sccm之间。
4.如权利要求1所述的无氮介电抗反射薄膜的制作方法，其特征在于，所述通入反应气体和开启电浆之间时间延迟为0.1秒至2秒。
5.如权利要求1所述的无氮介电抗反射薄膜的制作方法，其特征在于，先通入反应气体，然后再开启电浆。
6.如权利要求1所述的无氮介电抗反射薄膜的制作方法，其特征在于，先开启电浆，然后再通入反应气体。
7.如权利要求1所述的无氮介电抗反射薄膜的制作方法，其特征在于，所述无氮介电抗反射薄膜的沉积厚度在200埃至500埃之间，所述无氮介电抗反射薄膜的沉积采用的反应温度为400摄氏度，所述无氮介电抗反射薄膜的沉积采用的腔室反应压力在3.0torr至4.0torr之间，所述无氮介电抗反射薄膜的沉积采用的高频射频功率在300瓦至400瓦之间，沉积的时间在8秒至20秒之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
