[发明专利]一种铝线腐蚀缺陷的处理方法

权利要求书

1.一种铝线腐蚀缺陷的处理方法，其特征在于，包括：

提供一晶圆，所述晶圆包括底层以及形成于所述底层上的铝线；

定位和识别所述铝线中的铝线腐蚀缺陷；

在所述铝线上沉积保护层；

利用聚焦离子束装置刻蚀具有铝线腐蚀缺陷的铝线。

2.如权利要求1所述的铝线腐蚀缺陷的处理方法，其特征在于，所述底层为氧化硅。

3.如权利要求1所述的铝线腐蚀缺陷的处理方法，其特征在于，定位和识别所述铝线中的铝线腐蚀缺陷的步骤包括：

利用芯片缺陷扫描定位机台对晶圆的缺陷进行扫描定位；

利用缺陷识别机台进行缺陷识别；

利用芯片缺陷扫描定位机台获取的缺陷图像来确定铝线腐蚀缺陷的位置。

4.如权利要求1所述的铝线腐蚀缺陷的处理方法，其特征在于，所述保护层为富硅氧化层。

5.如权利要求1所述的铝线腐蚀缺陷的处理方法，其特征在于，利用聚焦离子束装置刻蚀具有铝线腐蚀缺陷的铝线的步骤中，离子能量为4500v～5500v，刻蚀时间为10～100秒。

6.如权利要求1所述的铝线腐蚀缺陷的处理方法，其特征在于，利用聚焦离子束装置刻蚀具有铝线腐蚀缺陷的铝线之后，还包括：清洗所述晶圆。