[发明专利]用于在处理晶片中形成隔离装置的系统及方法

权利要求书

1.一种用于在处理晶片中形成电气装置的方法，所述方法包括：

在处理晶片中形成半导体装置；

在所述处理晶片及所述半导体装置上形成隔离层；

将电路晶片结合至所述隔离层；

形成通过所述电路晶片及所述隔离层的至少一个沟道以暴露所述处理晶片的部分；及

在所述至少一个沟道中沉积导电材料，所述导电材料通过所述电路晶片提供对所述电气装置的电气连接。

2.根据权利要求1的方法，其中在所述处理晶片中形成所述电气装置包括在所述处理晶片中形成掺杂区。

3.根据权利要求2的方法，在所述处理晶片中形成阱，其中所述阱与所述处理晶片极性不同且所述掺杂区形成于所述阱中。

4.根据权利要求2的方法，其中形成所述掺杂区包括：

对所述处理晶片的顶表面涂布光阻，所述光阻暴露所述处理晶片的选择性位置；

在所述暴露选择性位置中形成所述掺杂区；

移除所述光阻。

5.根据权利要求2的方法，其中所述掺杂区具有与所述处理晶片的极性相反的极性。

6.根据权利要求2的方法，其还包括在所述掺杂区中形成高度掺杂区，其中所述高度掺杂区是经由通过所述活性硅基板中的所述至少一个沟道来掺杂所述掺杂区而形成。

7.根据权利要求6的方法，其中所述高度掺杂区具有与所述掺杂区相同的极性。

8.根据权利要求1的方法，其中所述电气装置为下列至少一种：

二极管；

电阻器；

场效应晶体管；

双极晶体管；及

电容器。

9.根据权利要求1的方法，其还包括在所述处理晶片中形成高度掺杂区，其中所述高度掺杂区是经由通过所述活性硅基板中的所述至少一个沟道来掺杂所述处理晶片而形成。

10.根据权利要求1的方法，其中所述导电材料为下列至少一种：

金属；及

多晶填充物。

11.根据权利要求1的方法，其还包括在所述导电材料上沉积金属化层。

12.根据权利要求1的方法，其还包括将所述电气连接连接至集成电路。

13.根据权利要求12的方法，其中将所述电气连接连接至集成电路包括：

形成通过所述电路晶片、所述隔离层及所述处理晶片的通孔；

在将所述通孔电连接至所述电气连接的所述电路晶片上沉积金属化层。

14.根据权利要求12的方法，其中将所述电气连接连接至集成电路包括：

在所述电路晶片的顶部上堆叠第二集成电路使得所述电气连接耦合至所述集成电路。

15.根据权利要求1的方法，其还包括当将所述电路晶片结合至所述隔离层时，在所述电路晶片中形成电气装置。

16.根据权利要求1的方法，其中所述电路晶片包含下列至少一种：

层间介电层；

有源层；

沟道隔离物；及

局部氧化硅层。

17.一种实施在处理晶片中形成的装置的电路，所述电路包括：

处理晶片的部分；

至少一个掺杂区，其形成于所述处理晶片的所述部分中；

电路晶片的部分，其接合至所述处理晶片的所述部分；

隔离层的部分，其使所述处理晶片与所述电路晶片电隔离；及

至少一个通孔，所述至少一个通孔将所述至少一个掺杂区电连接至形成于所述电路晶片的所述部分上的金属化层。

18.根据权利要求17的电路，其中所述处理晶片包括基板层及磊晶层。

19.根据权利要求18的电路，其中所述至少一个掺杂区形成于所述磊晶层的顶表面上。

20.根据权利要求19的电路，其中在所述磊晶层的所述顶表面上形成阱，所述阱具有与所述磊晶层的极性相反的极性且所述至少一个掺杂区形成于所述阱中。

21.根据权利要求17的电路，其中所述至少一个掺杂区中的掺杂区大体上与所述处理晶片的所述顶表面相同大小。