[发明专利]具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚有效
| 申请号： | 201210050830.6 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN103290476A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 忻隽;孔海宽;严成峰;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B35/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 生长 碳化硅 坩埚 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于物理气相输运技术生长碳化硅单晶的坩埚，其特征在于，所述坩埚是多生长腔结构。
2.如权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述坩埚是具有独立的料腔和生长腔的分体式多段结构。
3.如权利要求2所述的坩埚，其特征在于，在所述分体式多段结构中，各段之间通过螺纹或者台阶口连接。
4.如权利要求1-3任一项所述的坩埚，其特征在于，所述坩埚具有3～5个独立的生长腔。
5.如权利要求1-3任一项所述的坩埚，其特征在于，所述生长腔的直径是50mm～80mm。
6.如权利要求1-3任一项所述的坩埚，其特征在于，所述生长腔的高度超过所述坩埚总高度的20％，且所述料腔高度不小于所述坩埚总高度的50％。
7.如权利要求1-3任一项所述的坩埚，其特征在于，所述坩埚的加工原料为高纯、高致密度石墨，其总杂质含量小于100ppm，密度大于1.8g/cm3，气孔率小于15％。
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