[发明专利]一种适用于等离子体加强化学气相沉积工艺设备的一体化真空腔体结构

权利要求书

1.一种适用于等离子体加强化学气相沉积工艺设备的一体化真空腔体，包括上部腔体、下部腔体，还包括同射频电源连接在一起的电极，其由设置在该上部腔体内的上电极和设置在该下部腔体内的下电极组成，下电极在电性上是接地的；在上腔体上设有工艺气体导入装置，其通过设置在上部腔体上的工艺气体导入口导入工艺腔室而进入上下电极之间，在上下电极之间设置气体喷淋头；在下部腔体上安装冷却装置；在下电极上设置加热器，其置于所述真空腔体构成的真空腔室的外面，在该真空腔体上设有设有抽真空口；其特征在于：其中的下电极和下部腔体是同一种材料、一体构成的一体化真空下腔体构件。

2.根据权利要求1所述的一体化真空腔体，其特征在于：构成所述一体化真空下腔体构件的材料是金属材料。

3.根据权利要求2所述的一体化真空腔体，其特征在于：所述的金属材料是满足如下条件的金属材料：

(1)材料的硬度：80-200HB或50-100HRB，或100-200HV；

(2)材料的导热率：5-200W/m-K。

4.根据权利要求3所述的一体化真空腔体，其特征在于：所述金属材料是铝或铝合金材料。

5.根据权利要求4所述的一体化真空腔体，其特征在于：所述铝合金材料是6041系列或7075系列的铝合金。

6.根据权利要求1所述的一体化真空腔体，其特征在于：所述一体化真空下腔体构件的腔壁，对应于下电极的部分的腔壁，与其它部分有不同的厚度。

7.根据权利要求1所述的一体化真空腔体，其特征在于：在所述下电极上设置的加热器是固定设置在相对于所述一体化真空下腔体构件中所述下电极的外侧的下腔体构件的下底外表面上，或者，所述下腔体的下底面设有一个内凹部，所述内凹部的内凹腔的上顶部即为下电极，在该上顶部的顶面上固设所述加热器。

8.根据权利要求1所述的一体化真空腔体，其特征在于：在所述下电极外缘的外面的所述下部腔体底部的外围边缘区域设置冷却水管。

9.根据权利要求1所述的一体化真空腔体，其特征在于：所述下腔体的下底面设有一个内凹部，所述内凹部的内凹腔的上顶部即为下电极，在该内凹部的内凹腔的侧面的侧壁的外表面上开设有设定宽度和深度的凹形沟槽。

10.根据权利要求1至9之一所述的一体化真空腔体，其特征在于：所述一体化真空下腔体构件是从整块的金属铸锭加工而成的构件，或者，是浇铸而成的构件。