[发明专利]用于TSV铜互连材料力学性能测试的原位拉伸试样

说明书

技术领域

本发明涉及的是一种测试技术的拉伸试样，具体说，涉及一种用于TSV铜互连材料力学性能测试的原位拉伸试样。

背景技术

TSV(Through Silicon Vias，硅通孔)叠层互连技术，不仅可以提高三维集成度，而且其短距离互连的优势可以降低互连延迟，是微电子技术发展的一个重要方向。由于TSV中的铜互连材料，其制备工艺与结构尺寸与宏观的块体铜材料不同，所以材料的抗拉强度，杨氏模量等基本力学特性和宏观材料相比，存在明显的差异。

现有的薄膜力学性能测试大多基于纳米压痕方法和薄膜单轴拉伸方法，纳米压痕是通过纳米硬度测试过程中加载一卸曲线得出试样力学参数的方法，是一种公知的方法。

薄膜单轴拉伸方法试样制备工艺相对简单，测试数据易于获取，如中国专利ZL200710047682.1中提出了一种用于薄膜力学性能测试的单轴微拉伸试件(公开号为101149317A)，该发明介绍：“一种力学性能测试技术的用于薄膜力学性能测试的单轴微拉伸试件，包括U型支撑平台、移动平台、蛇形支撑弹簧、对中标记、位移标记，蛇形支撑弹簧连接U型支撑平台和移动平台，U型支撑平台和移动平台与薄膜试样的两端悬空相连，对中标记位于移动平台的上面，位移标记粘接在靠近薄膜试样、移动平台的尾端。本发明与国内外现有微拉伸试件相比，制备工艺可行，重现性好，成品率高，并且克服了拉伸过程中由支撑梁塑性变形而引起的实验误差。本发明集成式框架微拉伸试件适用于微机电系统中的各种单质金属、合金和复合材料等薄膜材料微观力学性能测试。”但薄膜单轴拉伸方法其拉伸方向与电镀层生长方向不同，无法获得TSV铜材料原位的力学特性参数。在没有详细的微尺度、原位的铜材料力学特性参数背景下，进行铜TSV结构设计和模拟仿真，必然引用宏观块体铜材料的力学参数，使得TSV铜互连结构设计存在一定的可靠性问题，有碍产业化的进程。

发明内容

本发明的目的是在于克服现有对TSV铜互连材料力学性能表征的不完善，提供一种用于TSV铜互连材料力学性能测试的原位拉伸试样，使得到的力学参数更接近于实际应用。

本发明是通过以下技术方案实现的，本发明所述的原位拉伸试样包括试样部分和用于夹持试样的夹持部分。

所述的试样部分是在硅通孔中形成的圆形金属柱，材料为铜材。

所述的夹持部分包括上夹持端和下夹持端，上、下夹持端均为方形平板结构，材料为铜材或镍材。

本发明用于测量时，试样部分的两端通过上夹持端和下夹持端夹持，对上夹持端和下夹持端施加水平方向的拉力，就可以实现试样的拉伸测试。通过对实验过程中拉力和位移变化的记录，可以得出试样的应力应变曲线，从而能得出抗拉强度和杨氏模量等基本力学参数。

进一步的，所述试样部分，所述上夹持端厚度部分，以及所述下夹持端厚度部分，它们的尺寸均为微米级。

与现有的国内外所用的微拉伸试样相比，本发明设计的TSV铜互连原位拉伸试样结构，主体尺寸是微米级，与实际生产中TSV铜互连主体尺寸基本相同，试样受力方向与铜柱的生长方向一致，更贴近于实际应用中TSV铜互连的成型工艺与结构，其制备工艺可行，重现性好，成品率高；而且本发明是采用无框架结构，单轴拉伸，可以更直接的测试出TSV铜互连材料的力学性能。

附图说明

图1为本发明实施例中所设计的TSV铜互连原位拉伸试样结构示意图；

图1中：1为金属柱，2为上夹持端，3为下夹持端；

图2为本发明实施例中所设计的TSV铜互连原位拉伸试样拉伸夹持示意图；

图2中：4为专用夹具。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的实施例作详细说明：本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。

实施例

如图1所示，本实施例提供一种TSV铜互连材料原位拉伸试样结构，所述的原位拉伸试样包括试样部分和用于夹持试样的夹持部分。

所述的试样部分是在硅通孔中形成的金属柱1，材料为铜材。

所述的夹持部分包括上夹持端2和下夹持端3，上、下夹持端均为方形平板结构，材料为铜材或镍材。

所述试样部分1，所述上夹持端2厚度，以及所述下夹持端3厚度，它们的尺寸均为微米级。

具体的，本实施例中，所述试样部分1，其形状为圆形金属柱，直径为5-50微米，高度为10-150微米；

本实施例中，所述试样部分1，材料为金属铜。