[发明专利]一种负磁导率超材料无效
| 申请号： | 201210051071.5 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN102593601A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;赵治亚;郭洁;刘豫青 | 申请（专利权）人： | 深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518034 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁导率 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种负磁导率超材料，所述超材料包括介质基板以及固定在介质基板上的人造微结构，其特征在于，所述人造微结构由一根折线由内向外旋转而成，所述折线由线段组成，所述任两相邻线段均成一百三十五度角。
2.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述线段不少于16根。
3.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述折线的线宽0.05-0.15mm。
4.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述折线的线间距0.05-0.15mm。
5.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述折线的厚度0.015-0.020mm。
6.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述超材料的介质基板为FR-4基板或陶瓷基板。
7.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述FR-4基板的介电常数为4.2-4.6，所述陶瓷基板的介电常数为8-16。
8.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述介质基板划分为多个相同的立方体介质基板单元，每个单元上附着有一个人造微结构。
9.根据权利要求8所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述介质基板单元沿两两正交垂直的x、y、z三个方向阵列排布。
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