[发明专利]一种液晶显示器的有源矩阵背板

权利要求书

1.一种场序彩色QVGA液晶显示器的有源矩阵背板，包括：

基板；

基板上的多晶硅薄膜晶体管，该多晶硅薄膜晶体管具有两个分隔开的栅极，薄膜晶体管的沟道宽/长比为24μm/5μm×2，栅极绝缘层为厚度为50纳米的低温氧化物；

扫描线，宽度为12μm，厚度为200纳米，由铝制成；

数据线，宽度为12μm；

扫描线与数据线之间的间隔物，由氧化物制成，厚度为120纳米。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵背板，其中同一层之间的图形的最小间隔是5μm，并且不同的图形间的最小间隔是2μm。

3.根据权利要求1所述的有源矩阵背板，还包括像素电容，像素电容由在和扫描线不同层的数据线间的电容、扫描线和在其上的LC间的电容、寻址薄膜晶体管间的电容组成。

4.根据权利要求1所述的有源矩阵背板，其中多晶硅薄膜晶体管的有源层为连续带状区域多晶硅薄膜。

5.根据权利要求4所述的有源矩阵背板，其中所述多晶硅薄膜晶体管的有源层由掩膜金属诱导晶化法制备，该方法包括：

步骤1)以等离子体化学气相沉积二氧化硅到衬底上，再以低压化学气相沉积非晶硅薄膜；

步骤2)在非晶硅薄膜表面形成纳米二氧化硅层，通过光刻工艺形成诱导线窗口，在诱导线处形成薄的化学氧化层；

步骤3)在二氧化硅层和化学氧化层上溅射一层7-14埃的镍硅氧化物，高温退火将非晶硅全部晶化。

6.根据权利要求5所述的有源矩阵背板，其中步骤2)中诱导线处的化学氧化层，厚度为1-2nm，通过将表面洁净的非晶硅浸入H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液在120℃下浸泡而形成。

7.根据权利要求5所述的有源矩阵背板，其中步骤2)中纳米二氧化硅层的厚度为3-6纳米。

8.一种制造根据权利要求1所述的QVGA有源矩阵背板的方法，包括：

在基板上沉积非晶硅薄膜；

在非晶硅薄膜表面形成纳米二氧化硅层，通过光刻工艺形成诱导线窗口，在诱导线处形成薄的化学氧化层；

在二氧化硅层和化学氧化层上溅射一层7-14埃的镍硅氧化物，高温退火将非晶硅全部晶化，形成多晶硅层；

以该多晶硅层作为有源层，制造多晶硅薄膜晶体管，使该多晶硅薄膜晶体管具有两个分隔开的栅极，薄膜晶体管的沟道宽/长比为24μm/5μm×2；

形成数据线和扫描线，其中扫描线的宽度为12μm，由铝制成，数据线宽度为12μm，且扫描线与数据线之间的间隔物由氧化物制成，厚度为50纳米。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中诱导线处的化学氧化层的厚度为1-2nm，通过将表面洁净的非晶硅浸入H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液在120℃下浸泡而形成。

10.一种场序彩色QVGA液晶显示器，包括如权利要求1所述的有源矩阵背板。