[发明专利]一种高调谐精度的数字控制振荡器有效
| 申请号： | 201210051625.1 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102594343A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 吴建辉;江平;王子轩;张萌;黄成;陈超;周正亚;陈庆 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03L7/099 | 分类号： | H03L7/099 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调谐 精度 数字控制 振荡器 | ||
1.一种高调谐精度的电感电容型数控振荡器，包括第一N型场效应晶体管(NM1)、第二N型场效应晶体管(NM2)，第一P型场效应晶体管(PM1)、第二P型场效应晶体管(PM2)和谐振回路，所述第一N型场效应晶体管(NM1)的源极接地，第一N型场效应晶体管(NM1)的漏极接第一P型场效应晶体管(PM1)的漏极，第一N型场效应晶体管(NM1)的栅极接谐振回路的第二输入端；所述第一N型场效应晶体管(NM1)的源极接地，第二N型场效应晶体管(NM2)的漏极接第二P型场效应晶体管(PM2)的漏极，第二N型场效应晶体管(NM2)的栅极接谐振回路的第一输入端(1)；所述第一P型场效应晶体管(PM1)的源极接电源VDD，第一P型场效应晶体管(PM1)的漏极接第一N型场效应晶体管(NM1)的漏极，第一P型场效应晶体管(PM1)的栅极接谐振回路的第二输入端(2)；所述第二P型场效应晶体管(PM2)的源极接电源VDD，第二P型场效应晶体管(PM2)的漏极接第二N型场效应晶体管(NM2)的漏极，第二P型场效应晶体管(PM2)的栅极接谐振回路的第一输入端(1)；
其特征在于：所述谐振回路包括并联连接的电感L、电容C、第一控制位D1控制的由P型场效应晶体管PM11、PM12、PM13和PM14组成的第一位控制单元电路、...、和由第n控制位Dn控制的由P型场效应晶体管PMn1、PMn2、PMn3和PMn4组成的第n位控制单元电路，组成控制单元阵列；
所述电感L第一输入端接电容C的第一输入端，作为谐振回路的第一输入端(1)，电感L第二输入端接电容C的第二输入端，作为谐振回路的第二输入端(2)；
所述P型场效应晶体管PM11的源极、漏极和衬底、P型场效应晶体管PM12的源极、漏极和衬底、P型场效应晶体管PM13的栅极、P型场效应晶体管PM14的栅极均接到一起，作为第一控制位D1端；P型场效应晶体管PM11的栅极、P型场效应晶体管PM13的源极、漏极和衬底接到电感L的第一输入端，P型场效应晶体管PM12的栅极、P型场效应晶体管PM14的源极、漏极和衬底接到电感L的第二输入端；
所述P型场效应晶体管PMn1的源极、漏极和衬底、P型场效应晶体管PMn2的源极、漏极和衬底、P型场效应晶体管PMn3的栅极、P型场效应晶体管PMn4 的栅极均接到一起，作为第n控制位Dn端，P型场效应晶体管PMn1的栅极、P型场效应晶体管PMn3的源极、漏极和衬底接到电感L的第一输入端，P型场效应晶体管PMn2的栅极、P型场效应晶体管PMn4的源极、漏极和衬底接到电感L的第二输入端。
2.根据权利要求1所述的高调谐精度的电感电容型数控振荡器，其特征在于所述控制单元阵列中每一个控制单元的接法均相同，PMk3、PMk4对管的尺寸大于PMk1、PMk2对管，其中k为1到n。
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