[发明专利]SRAM存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种SRAM存储器，包括：

基底，位于基底上呈行列排布的多个存储单元，每个存储单元包括至少一个NMOS晶体管和一个PMOS晶体管；

其特征在于，还包括：位于所述NMOS晶体管和PMOS晶体管以及基底表面的拉应力层。

2.如权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，所述拉应力层为选自氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅的一种或几种的组合。

3.如权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，所述拉应力层的厚度范围为50埃～2000埃。

4.如权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，所述拉应力层的应力为0.5Gpa～1.5Gpa。

5.如权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，所述SRAM存储器还包括位于所述拉应力层上的介质层，位于介质层上的互连层，所述互连层包括字线、位线、电源线和地线，字线、位线、电源线和地线通过介质层中的插塞与相应的晶体管电连接。

6.如权利要求5所述的SRAM存储器，其特征在于，所述每个存储单元中NMOS晶体管和PMOS晶体管的个数为4个、6个或8个。

7.如权利要求6所述的SRAM存储器，其特征在于，所述每个存储单元中NMOS晶体管和PMOS晶体管的个数为6个，包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管以及第四NMOS晶体管，第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管形成双稳态电路，第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管为传输晶体管；

所述字线与第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管的栅极电连接；

所述位线包括第一位线和第二位线，第一位线和第二位线分别与第三NMOS晶体管的源极、第四NMOS晶体管的源极电连接；

第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极与电源线电连接；

第一NMOS晶体管的漏极和第二NMOS晶体管的漏极与地线电连接；

第一PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的栅极、第二PMOS晶体管的漏极、第二NMOS晶体管的源极、第四NMOS晶体管的漏极电连接；第二PMOS晶体管的栅极、第二NMOS晶体管的栅极、第一PMOS晶体管的漏极、第一NMOS晶体管的源极、第三NMOS晶体管的漏极电连接。

8.一种SRAM存储器的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供基底，所述基底上形成有行列排布的多个存储单元，每个存储单元包括至少一个NMOS晶体管和一个PMOS晶体管；

形成覆盖所述NMOS晶体管和PMOS晶体管以及基底表面的拉应力层。

9.如权利要求8所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述拉应力层为选自氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅的一种或几种的组合。

10.如权利要求8所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述拉应力层的厚度范围为50埃～2000埃。

11.如权利要求8所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述拉应力层的应力为0.5Gpa～1.5Gpa。

12.如权利要求8所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述拉应力层的形成方法为化学气相沉积工艺。

13.如权利要求8所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，还包括步骤，在所述拉应力层上形成介质层，在介质层上形成互连层，所述互连层包括字线、位线、电源线和地线，字线、位线、电源线和地线通过介质层中的插塞与相应的晶体管电连接。

14.如权利要求13所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述每个存储单元中NMOS晶体管和PMOS晶体管的个数为4个、6个或8个。

15.如权利要求14所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述每个存储单元中NMOS晶体管和PMOS晶体管的个数为6个，包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管以及第四NMOS晶体管，第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管形成双稳态电路，第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管为传输晶体管；

所述字线与第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管的栅极电连接；

所述位线包括第一位线和第二位线，第一位线和第二位线分别与第三NMOS晶体管的漏极、第四NMOS晶体管的漏极电连接；

第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极与电源线电连接；

第一NMOS晶体管的源极和第二NMOS晶体管的源极与地线电连接；

第一PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的栅极、第二PMOS晶体管的漏极、第二NMOS晶体管的漏极、第四NMOS晶体管的源极电连接；第二PMOS晶体管的栅极、第二NMOS晶体管的栅极、第一PMOS晶体管的漏极、第一NMOS晶体管的漏极、第三NMOS晶体管的源极电连接。