[发明专利]一种掺杂氧化锌薄膜的制备方法有效
申请号: | 201210051815.3 | 申请日: | 2012-03-01 |
公开(公告)号: | CN102586741A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 叶飞;曹善鹏;侯波;张文征 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C23C14/30 | 分类号: | C23C14/30;C23C14/08 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 赵淑梅 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 氧化锌 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种掺杂氧化锌薄膜的制备方法,包括靶材制备,基片处理,蒸镀和退火的步骤,其特征在于:所述蒸镀步骤中电子束流为25~35mA,工作气压为0.40~0.80Pa。
2.根据权利要求1所述的掺杂氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于:所述靶材致密度为59~70%。
3.根据权利要求1所述的掺杂氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于:所述蒸镀步骤中电子束流为30mA,工作气压为0.51Pa。
4.根据权利要求2所述的掺杂氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于:所述靶材致密度为59%。
5.根据权利要求1所述的掺杂氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于:所述掺杂氧化锌中的掺杂元素为第三主族元素。
6.根据权利要求1所述的掺杂氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于:其工艺步骤如下:
a.靶材制备:将混合的氧化锌和掺杂离子氧化物纳米粉末压制成靶材块体,烧结成致密度为59~70%的陶瓷靶;
b.基片处理:清洗并安装基片,抽真空至10-3Pa;将基片加热至200~300℃,转速2r/min;通入氩气,电离清洗5分钟;通入氧气,氩气与氧气的流量比为1∶1.4,将工作气压调至0.4~0.8Pa;
c.蒸镀:开始蒸镀,高压为6kV,电子束流为25~35mA,蒸镀时间为30分钟;
d.退火:蒸镀后400℃退火1小时。
7.根据权利要求6所述的掺杂氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于:其工艺步骤如下:
a.靶材制备:将混合好的纳米粉末压制成靶材块体,烧结成致密度为59%的陶瓷靶;
b.基片处理:清洗并安装基片,抽真空至10-3Pa;基片加热至250℃,转速2r/min;通入氩气,电离清洗5分钟;通入氧气,氩气与氧气的流量比为1∶1.4,将工作气压调至0.51Pa;
c.蒸镀:开始蒸镀,高压为6kV,电子束流为30mA,蒸镀时间为30分钟;
d.退火:蒸镀后400℃退火1小时。
8.一种根据权利要求1所述方法制备的掺杂氧化锌薄膜,其特征在于:所述薄膜厚度为200~300nm,方块电阻为50~130Ω/□,透光率>90%。
9.一种掺杂氧化锌薄膜在制备太阳能电池、平板显示器或发热薄膜中的应用。
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