[发明专利]一种高压电系数、高电致应变低温烧结的压电陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210052032.7 申请日: 2012-03-01
公开(公告)号: CN102584230A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 董显林;王丽;梁瑞虹 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/49 分类号: C04B35/49;C04B35/622
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 高压电 系数 高电致 应变 低温 烧结 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高压电系数、高电致应变低温烧结的压电陶瓷材料,其特征在于,所述压电陶瓷材料的成分以锶、钡复合掺杂改性的铌镁酸铅-锆钛酸铅为基体,并含有CuO。

2.根据权利要求1所述的压电陶瓷材料,其特征在于,所述材料用以下通式表示:

Pb1-x-ySrxBay(Mg1/3Nb2/3)0.25Ti0.40Zr0.35O3+awt.%CuO,其中,0.02≤x≤0.06,0.02≤y≤0.06,0.2≤a≤0.5。

3.一种权利要求1或2所述的压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括:

将粉末状的Pb3O4、ZrO2、TiO2、MgCO3·5H2O、Nb2O5、SrCO3及BaCO3的原料按化学计量比配比湿法球磨至所需粒度的工序A;

将经工序A后的所述原料烘干后压块、于不同温度分二段合成得到锶、钡复合掺杂改性的铌镁酸铅-锆钛酸铅的工序B;

将锶、钡复合掺杂改性的铌镁酸铅-锆钛酸铅块体研磨粉碎成粉体、掺入0.2~0.5wt.%的CuO、细磨后压制成型获得素坯的工序C;

对所述素坯排除有机物的工序D;

将经工序D的所述素坯在930~980℃温度下保温2~5小时烧结获得压电陶瓷材料的工序E。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,在所述工序B中,第一段合成是在600~700℃温度条件下保温1~4h,第二段合成是在800~900℃温度条件下保温1~4h。

5.根据权利要求3或4所述的制备方法,其特征在于,在所述工序A中,采用去离子水和玛瑙球作为介质,将原料、玛瑙球和去离子水按照1∶1.2∶0.8的比例混合湿法球磨至所需粒度。

6.根据权利要求3或4所述的制备方法,其特征在于,在所述工序C中,细磨采用去离子水和玛瑙球作为介质,将所述粉体和CuO的混合料、玛瑙球和去离子水按照1∶1.5∶0.6的比例混合湿法球磨至所需粒度。

7.根据权利要求3或4所述的制备方法,其特征在于,在所述工序D中,使素坯在600℃~700℃温度范围内保温1~2个小时以排除所述有机物。

8.一种由权利要求1或2所述的压电陶瓷材料制备的压电元件,或由权利要求3至7中任一项所述的制备方法获得的压电陶瓷材料所制备的压电元件,其特征在于,所述压电元件的压电系数为d33>500pC/N,1.5kV/mm电场强度下的电致应变量为S11≥1.5‰。

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