[发明专利]固体拍摄装置及固体拍摄装置的制造方法

权利要求书

1.一种固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，包括：

元件分离区域形成工序，其使第1导电型半导体层外延生长，形成分离光电变换元件之间的元件分离区域；以及

电荷积蓄区域形成工序，其使第2导电型半导体层外延生长，形成上述光电变换元件中的电荷积蓄区域。

2.根据权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

上述元件分离区域通过在半导体基板上使上述第1导电型半导体层外延生长之后以残留底壁和成为上述元件分离区域的侧壁的方式蚀刻该第1导电型半导体层来形成；

上述电荷积蓄区域通过在由上述底壁及上述侧壁形成的空间的内部使上述第2导电型半导体层外延生长来形成。

3.根据权利要求2所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，上述蚀刻是各向异性干蚀刻。

4.根据权利要求2所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，上述半导体基板具备：

被掺杂了预定杂质的子基板；以及

在上述子基板的顶面设置且上述杂质的浓度比上述子基板低一个数量级以上的半导体层。

5.根据权利要求4所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，包括：

从底面开始化学机械研磨上述子基板而残留该子基板的顶面部分的工序。

6.根据权利要求5所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，包括：

通过湿蚀刻来除去上述子基板的顶面部分的工序。

7.根据权利要求2所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，上述固体拍摄装置是背面照射型图像传感器。

8.根据权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

上述电荷积蓄区域通过在形成在半导体基板上的第1导电型半导体层上使上述第2导电型半导体层外延生长来形成；

上述元件分离区域通过在上述第2导电型半导体层中的上述元件分离区域的形成区域形成从上述第2导电型半导体层的顶面到达该第1导电型半导体层的凹槽，并在该凹槽的内部使上述第1导电型半导体层外延生长来形成。

9.一种固体拍摄装置，其特征在于，具备：

电荷积蓄区域，其设置在形成在第1导电型外延层的凹槽内，并包括第2导电型外延层；以及

元件分离区域，其通过上述凹槽的侧壁分离光电变换元件之间。

10.根据权利要求9所述的固体拍摄装置，其特征在于，上述凹槽通过各向异性干蚀刻形成。

11.根据权利要求9所述的固体拍摄装置，其特征在于，上述固体拍摄装置是背面照射型图像传感器。

12.一种固体拍摄装置，其特征在于，具备：

电荷积蓄区域，其在第1导电型半导体层上形成，并包括第2导电型外延层；以及

元件分离区域，其包围上述电荷积蓄区域，设置在从上述第2导电型外延层的表面到达上述第1导电型半导体层的凹槽中，并包括在光电变换元件之间进行元件分离的第1导电型外延层。

13.根据权利要求12所述的固体拍摄装置，其特征在于，上述凹槽通过各向异性干蚀刻形成。

14.根据权利要求12所述的固体拍摄装置，其特征在于，上述固体拍摄装置是背面照射型图像传感器。