[发明专利]一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件在审
| 申请号： | 201210052074.0 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103296464A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;栾林;郭洁;刘豫青 | 申请（专利权）人： | 深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;G01R33/56;A61B5/055 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518034 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁导率 材料 mri 信号 增强 器件 | ||
1.一种负磁导率超材料，所述超材料包括基板以及固定在基板上的人造微结构层，其特征在于，所述人造微结构层由多个周期性阵列排布的人造微结构组成，所述人造微结构是由一根导电材料的折线等间距嵌套而成的三角螺绕环。
2.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述三角螺绕环的相邻两段导电材料折线夹角为60°。
3.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述基板的厚度为0.20mm-0.60mm。
4.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述基板的介电常数为4-8。
5.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述导电材料的折线线宽为0.05-0.15mm。
6.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述导电材料的折线线间距为0.05-0.15mm。
7.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述导电材料的折线厚度为0.015-0.020mm。
8.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述导电材料的折线截面为矩形或圆形。
9.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述导电材料的折线嵌套层数大于2。
10.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述基板为有机高分子材料或陶瓷材料。
11.一种MRI磁信号增强器件，设置在待测部位与MRI设备的磁信号接收线圈之间，其特征在于，所述MRI磁信号增强器件为超材料，所述超材料在MRI设备的磁信号工作频率下具有负磁导率。
12.根据权利要求11所述的MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述超材料为权利要求1至10任一所述的负磁导率超材料。
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