[发明专利]侧面粗化的发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种侧面粗化的发光二极管，包括：

一衬底，该衬底的侧面经粗化处理，粗化处理后的衬底侧面为三角形、菱形、圆形或多边形；

一成核层，其制作在侧面粗化的衬底上；

一N型掺杂层，其制作在成核层上，该N型掺杂层有一台面；

一多量子阱发光层，其制作在N型掺杂层台面的另一侧上，该多量子阱发光层为10个周期交替生长的氮化镓/铟镓氮；

一P型掺杂层，其制作在多量子阱发光层上；

一ITO层，其制作在P型掺杂层上；

一P型金属电极，其制作在ITO层上；

一N型金属电极，其制作在掺杂层的台面上。

2.根据权利要求1所述的侧面粗化的发光二极管，其中表面粗化的衬底的材料为蓝宝石、Si、SiC、GaAs或玻璃，该衬底的形状为矩形、倒梯形、半圆形或半球形。

3.根据权利要求2所述的侧面结构的发光二极管，其中该衬底的侧面的粗化处理后，形成连续的粗化表面或不连续的粗化表面。

4.根据权利要求1所述的侧面结构的发光二极管，其中成核层、N型掺杂层和P型掺杂层的材料为GaN。

5.根据权利要求1所述的侧面结构的发光二极管，其中N型掺杂层的台面的深度小于N型掺杂层的厚度。

6.一种侧面结构的发光二极管的制作方法，包括如下步骤：

步骤1：取一衬底，该衬底的侧面进行粗化处理，形成连续的粗化表面或不连续的粗化表面；

步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；

步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N型掺杂层内，形成台面；

步骤4：在ITO层上未刻蚀的一侧上制备P型金属电极；

步骤5：在台面上制备N型金属电极。

7.根据权利要求6所述的侧面结构的发光二极管的制作方法，其中表面粗化的衬底的材料为蓝宝石、Si、SiC、GaAs或玻璃，该衬底的形状为矩形、倒梯形、半圆形或半球形。

8.根据权利要求6所述的侧面结构的发光二极管的制作方法，其中成核层、N型掺杂层和P型掺杂层的材料为GaN。

9.根据权利要求6所述的侧面结构的发光二极管的制作方法，其中该多量子阱发光层为10个周期交替生长的氮化镓/铟镓氮。

10.根据权利要求6所述的侧面结构的发光二极管的制作方法，其中衬底侧壁粗化，是用激光在衬底的侧壁表面形成诱导形状，经腐蚀液腐蚀出三角形、菱形、圆形或多边形。