[发明专利]发光元件、发光装置、显示装置和电子设备无效
申请号: | 201210053021.0 | 申请日: | 2012-03-02 |
公开(公告)号: | CN102655224A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 山本英利;藤田彻司 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金世煜;苗堃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 装置 显示装置 电子设备 | ||
1.一种发光元件,其特征在于,具有:
阳极,
阴极,
设置于所述阳极和所述阴极之间的发光层,和
设置于所述阳极和所述发光层之间的具有输送空穴的功能的有机层;
所述有机层具有空穴注入层和空穴输送层,所述空穴注入层设置成与所述阳极相接且含有空穴注入性材料,所述空穴输送层设置成与所述空穴注入层和所述发光层相接且含有空穴输送性材料,
所述空穴注入层和所述空穴输送层分别含有具有电子输送性的电子输送性材料而构成,
所述电子输送性材料的含量在所述空穴注入层与所述空穴输送层中不同。
2.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,所述有机层具有阻挡电子的功能。
3.根据权利要求2所述的发光元件,其特征在于,所述空穴输送层中的所述电子输送性材料的含量高于所述空穴注入层中的所述电子输送性材料的含量。
4.根据权利要求3所述的发光元件,其特征在于,所述空穴输送层的平均厚度比所述空穴注入层的平均厚度薄。
5.根据权利要求4所述的发光元件,其中,所述电子输送性材料为并苯系材料。
6.根据权利要求5所述的发光元件,其特征在于,所述有机层含有胺系材料。
7.根据权利要求6所述的发光元件,其特征在于,所述有机层由混合并苯系材料和胺系材料而得的混合材料构成。
8.根据权利要求5~7中任一项所述的发光元件,其特征在于,所述并苯系材料由蒽系材料和并四苯系材料中的至少一方构成。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的发光元件,其特征在于,在所述空穴注入层与所述空穴输送层中含有的空穴输送性材料是相同的。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的发光元件,其特征在于,所述空穴注入材料中的所述电子输送性材料的含量、所述空穴输送材料中的所述电子输送性材料的含量分别为30wt%~70wt%。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的发光元件,其特征在于,所述有机层的平均厚度为20nm~100nm。
12.一种发光装置,其特征在于,具备权利要求1~11中任一项所述的发光元件。
13.一种显示装置,其特征在于,具备权利要求12所述的发光装置。
14.一种电子设备,其特征在于,具备权利要求13所述的显示装置。
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