[发明专利]相变存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种相变存储器，包括：衬底，位于衬底上的存储单元阵列和电路单元，所述电路单元位于所述存储单元阵列周围，其特征在于，所述相变存储器还包括位于所述存储单元阵列和所述电路单元之间的、围绕所述存储单元阵列的沟槽隔离结构。

2.如权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述存储单元阵列包括多个平行的浅沟槽隔离区域、多个与所述浅沟槽隔离区域垂直的深沟槽隔离区域，所述深沟槽隔离区域包括：

形成于衬底中的沟槽；

覆盖于所述沟槽底部表面和侧壁表面上的衬垫层；

填充于所述沟槽中的第一填充层；

覆盖于所述第一填充层上的阻挡层；

填充于所述沟槽中的、位于所述阻挡层上的第二填充层。

3.如权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述沟槽隔离结构为围绕所述存储单元阵列的封闭式结构。

4.如权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述沟槽隔离结构为围绕所述存储单元阵列的分段式结构。

5.如权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，所述沟槽隔离结构与所述深沟槽隔离区域相同。

6.如权利要求5所述的相变存储器，其特征在于，所述衬垫层的材料为氧化硅，所述第一填充层为多晶硅，所述阻挡层为氧化硅，所述第二填充层为氧化硅。

7.一种相变存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在衬底上的存储单元区域形成存储单元阵列；

在衬底上形成围绕所述存储单元阵列的沟槽隔离结构；

在衬底上沟槽隔离结构的周围区域形成电路单元。

8.如权利要求7所述相变存储器的制造方法，其特征在于，

在衬底上形成存储单元阵列的步骤包括：形成多个平行的深沟槽隔离区域、形成多个与所述深沟槽隔离区域垂直的浅沟槽隔离区域；

形成沟槽隔离结构的步骤包括：在存储单元区域形成深沟槽隔离区域的过程中，形成与所述深沟槽隔离区域相同的沟槽隔离结构。

9.如权利要求8所述相变存储器的制造方法，其特征在于，

在存储单元区域形成深沟槽隔离区域的过程中，形成与所述深沟槽隔离区域相同的沟槽隔离结构的步骤包括：

在衬底上依次形成阱区、外延层；

图案化所述阱区、外延层，在存储单元区域形成多个平行排列的第一深沟槽以及围绕所述存储单元区域的第二深沟槽；

在所述第一深沟槽和第二深沟槽的底部表面和侧壁表面均覆盖衬垫层；

在所述第一深沟槽和第二深沟槽中填充第一材料，形成第一填充层；

在所述第一填充层上形成阻挡层；

在所述第一深沟槽和第二深沟槽中的阻挡层上继续填充第二材料，形成第二填充层。

10.如权利要求9所述相变存储器的制造方法，其特征在于，所述衬垫层的材料为氧化硅，所述第一材料为多晶硅，所述阻挡层的材料为氧化硅，所述第二材料为氧化硅。