[发明专利]柔性CIGS太阳电池背电极层的制备工艺无效
申请号: | 201210054330.X | 申请日: | 2012-03-05 |
公开(公告)号: | CN103296129A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 张建柱;孙玉娣;马格林;彭博 | 申请(专利权)人: | 任丘市永基光电太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 062550 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 cigs 太阳电池 电极 制备 工艺 | ||
1.一种柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池背电极层的制备工艺,其特征在于:利用卷对卷(ROLL-TO-ROLL)的生产工艺,在柔性不锈钢衬底上依次沉积铬隔离层、钼层,做为CIGS吸收层的预制层及电池的背电极层。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的衬底为25~100μm厚的不锈钢带。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:铬隔离层与钼层的制备均采用卷对卷(Roll-To-Roll)的镀膜方式,并且都利用直流磁控溅射的方法制备。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:首先利用直流磁控溅射的方法在衬底上镀一层铬,厚度为1~2μm。镀金属铬的目的是阻止不锈钢衬底中得Fe元素向吸收层的扩散。
5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:利用直流磁控溅射的方法在铬层上溅射Mo层,钼层的厚度为1~1.5μm。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于:Mo层的制备分两步完成,具体包括以下工艺步骤:
(1)在1~1.5Pa的氩气压下沉积一层0.1~0.2μm厚的Mo层。
(2)在0.1~0.2Pa的氩气压下沉积一层0.9~1.2μm厚的Mo层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的